本实用新型涉及一种同位素地质学专用TOF‑SIMS高压脉冲发生器,是由直流电源经负载与高压衰减探头示波器连接,负载串接三个SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分别与TVS动态均压电路、R1~R2静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅠ连接,SICMOSFETⅡ分别与TVS动态均压电路、R4~R5静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅡ连接,SICMOSFETⅢ分别与TVS动态均压电路、R7~R8静态均压电路、动态反馈均压电阻和动态功耗米勒电容CgⅢ连接构成。本实用新型与现有的分高压脉冲发生器相比,具有无噪声,无电磁干扰,结构简单,体积小,重量轻,安装方便,成本低廉。可在电场杀菌技术、水处理技术和高压绝缘技术等领域广泛应用。
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