本发明涉及制备太阳能级
多晶硅的方法,包括:在矿热炉出硅过程中,向抬包底部持续通入氧化性气体;出硅完成后,将预熔造渣剂倒入抬包中精炼;将氧化性气体采用等离子发生器电离后注入硅液中;待反应完后,将得到的硅液注入保温装置中凝固,待硅锭冷却后,打磨硅锭四周及底面洁净;将硅锭破碎、磨粉,采用混合酸进行酸洗,清洗,烘干;将酸洗后硅粉放入中频炉
石墨坩埚中加热熔化成硅液,保温;于硅液的表面放置石墨板,石墨板与直流电压的负极相接,石墨坩埚底部与直流电压的正极相接,施加直流电压;通电2~4h后,在通电状态下,石墨坩埚缓慢下降,离开加热区,进行定向凝固,冷却后取出硅锭,切除上层和尾部的杂质区,即得提纯后6N多晶硅。
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