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内含Si‑C60的陶瓷及其制备方法

835   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:32:33
本发明涉及内含Si‑C60的陶瓷的制备方法,包括如下步骤:将硅酸盐材料与炭黑混合后,依次升温至500℃~550℃、1400℃~1500℃、1750℃~1850℃,再降至常温,然后将其破碎并加热至600℃~700℃,以得到Si‑C60粉体材料;将粉石英矿、水与分散剂混合后,依次进行沉淀、过滤、离心、烘干,再加入Si‑C60粉体材料,然后进行微波碳化处理,冷却后加入聚碳硅烷和四氢呋喃得到浆料,然后将聚氨酯海绵制成素坯后进行空气不熔化处理,得到内含Si‑C60的陶瓷。本发明的方法制备的内含Si‑C60的陶瓷,具有较优的介电性能和抗弯性能,具有很好的商业前景和科研前景。
声明:
“内含Si‑C60的陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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