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内含Si‑C60的陶瓷及其制备方法

846   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 14:32:33
本发明涉及内含Si‑C60的陶瓷的制备方法，包括如下步骤：将硅酸盐材料与炭黑混合后，依次升温至500℃～550℃、1400℃～1500℃、1750℃～1850℃，再降至常温，然后将其破碎并加热至600℃～700℃，以得到Si‑C60粉体材料；将粉石英矿、水与分散剂混合后，依次进行沉淀、过滤、离心、烘干，再加入Si‑C60粉体材料，然后进行微波碳化处理，冷却后加入聚碳硅烷和四氢呋喃得到浆料，然后将聚氨酯海绵制成素坯后进行空气不熔化处理，得到内含Si‑C60的陶瓷。本发明的方法制备的内含Si‑C60的陶瓷，具有较优的介电性能和抗弯性能，具有很好的商业前景和科研前景。
声明：
“内含Si‑C60的陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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