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制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法

718   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:31:37
制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法,采用二种不同晶型的工业TiO2,通过适当的配比合成主要成分SrTiO3,其原料组成及其含量为:1molSrCO3+(0.98~1.02)molTiO2+(0.2~0.45)%molNb2O5+(0.2~04.5)%molLa2O3,其中,TiO2为工业纯,由锐钛矿和金红石两种晶型组成,其配比范围是:锐钛矿∶金红石=(0.3∶0.7)~(0.7∶0.3);上述原料经充分混匀后于1150~1250℃下预烧,然后粉碎过筛并成型、烧成,再氧化处理。本发明具有良好的工艺稳定性、产品合格率高,并可优化产品性能。
声明:
“制造SrTiO3晶界层半导体陶瓷电容器的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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