本发明公开了一种电子元器件用保护膜的制备方法,属于电子元器件领域,其原料由乙烯?丙烯酸共聚物、
硅烷偶联剂、天然植物胶、草木灰、
低品位氧化锌矿、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯组成,然后经过粉碎、熔融反应、制膜或涂覆制得;本发明制得的厚度为10?100μm的薄膜或者厚度为30?100μm的涂覆膜,以200℃×1小时进行处理后的30℃下的拉伸强度达到51MPa以上、伸长率为在5%以下,具有优异的机械性能,可以作为自支撑膜或者复合膜的基膜;其表面电阻值为1×106Ω≤Rs<1×109Ω,非接触防静电电压值达到12kv以上,具有优异的防静电性能,同时,具有优异的耐酸碱耐高温低温性能。
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