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可调节多品硅生长速度的热场坩埚使用方法

1028   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:31:33
本发明公开了一种可调节多品硅生长速度的热场坩埚使用方法,包括以下步骤:S1、将硅矿石原料经粉碎后进行清洗工序,清洗完成后,放入干燥机中进行干燥处理,并控制含水率在0.7%以内,将干燥后的硅矿石进行磁选处理,除去硅矿石中夹杂的杂质;S2、在热场部件中的石墨坩埚的内表面加垫一层石墨纸,使石墨纸将石墨坩埚完全铺满,不留缝隙,同时将石英坩埚放置进石墨坩埚内,压紧石墨纸。本发明能对原料进行严格的筛选,从而有助于从源头提升生产质量,并且能很好的降低硅中的氧气含量,有助于延长石墨坩埚的使用寿命,并且能根据需要控制硅的生长速度,进而便于工作人员进行控制,有助于提升生产的安全性。
声明:
“可调节多品硅生长速度的热场坩埚使用方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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