本发明涉及超细高纯石英材料的制备方法,其工 艺为:采用国产优质脉石英矿(SiO2≥99%)为原料,经粗碎、静电选法去杂、超细粉碎、高梯度磁选法去杂、微波处理、络合法去杂以及后处理等工序生产电子级和微电子级超细高纯石英
新材料,其制备工艺采用静电选法、高梯度磁选法、微波处理和络合法等先进技术去除杂质,该方法使SiO2含量达99.99-99.999%,杂质含量<100ppm,粒度800-2500目,符合电子级、微电子级使用要求,产品以其优异的性能应用于电子元件、微电子元件及集成电路的高档塑封材料等。
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