本发明涉及一种从烧结的SiC晶须粗料中获得 高品级SiC晶须产品的分离工艺,其特征在于经粉 碎的物料两次调浆后进行反
浮选,其
尾矿再进行旋流 器分离,或者采用正浮选处理,中矿采用旋流器组或 快速摇床处理,该工艺过程进行合理组合可用于易处 理和难处理物料的分离,分别得到高品级SiC-w产 品,其品级达97-98%,平均直径1.0,1.5和≥ 3.0μm,为高科技领域
复合材料提供优质增强剂,该 工艺分离效果好,节省药剂,设备互换性好,操作简 单。
声明:
“获得高品级SiC晶须的分离工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)