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水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法

844   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:31:21
本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法,其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部,按60~80%的充满度,加入含有0~2.0MOL/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液,调整溶液的PH值在2.0~10.0之间;在黄金衬套的顶部悬挂C方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶;加热使得生长区平均温度为300~450℃,溶解区平均温度为400~500℃,压力P≤200MPA;经10~90天恒温生长,得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。本发明工艺简单、成本低廉,可以使得在晶体C方向生长的长度达到厘米量级甚至更高;得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体,更有利于应用。
声明:
“水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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