二次电池用电解铜箔及其生产方法

权利要求书： 1.一种通过使用滚筒由含有总有机碳的电镀溶液生产的二次电池用电解铜箔，其特征在于，

所述电解铜箔由与所述滚筒直接接触的一个表面和作为所述一个表面的相对表面的另一个表面形成，并且

所述一个表面的平均横截面晶粒尺寸为所述另一个表面的平均横截面晶粒尺寸的

80％或更小；

所述电镀溶液中含有的TOC的浓度等于或大于100ppm；

其中，在用负电极活性材料涂覆所述电解铜箔之后对所述电解铜箔进行压制，并且压制前的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为0.5μm至1μm或更小，压制后的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为压制前的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸的90％或更大。

2.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，在所述电解铜箔中与所述滚筒直接接触的所述一个表面的平均横截面晶粒尺寸为0.5μm至1.55μm。

3.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，在所述电解铜箔中作为所述一个表面的相对表面的所述另一个表面的平均横截面晶粒尺寸为1.5μm至2.1μm。

4.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，压制后的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为0.45μm至0.9μm。

5.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，所述压制的强度为4MPa或更高。

2

6.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，所述电解铜箔的拉伸强度为30kgf/mm2

至50kgf/mm。

7.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，所述电解铜箔的伸长率为2％至12％。

8.根据权利要求1所述的电解铜箔，其特征在于，所述电解铜箔的厚度为2μm至10μm。

9.一种生产二次电池用电解铜箔的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)制备含有铜和总有机碳的电镀溶液；

(2)在30℃至70℃的温度条件下施加30安培/平方分米至150ASD的电流密度，并且通过使用滚筒进行电镀；以及

(3)用负电极活性材料涂覆通过电镀形成的电解铜箔并且压制所述电解铜箔；

其中，通过操作(2)中的电镀形成的电解铜箔由与所述滚筒接触的一个表面和作为所述一个表面的相对表面的另一个表面形成，并且所述一个表面的平均横截面晶粒尺寸为所述另一个表面的平均横截面晶粒尺寸的

80％或更小；

所述电镀溶液中含有的TOC的浓度等于或大于100ppm；

压制前的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为0.5μm至1μm或更小，并且压制后的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为压制前的所述电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸的

90％或更大。

2

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述电解铜箔的拉伸强度为30kgf/mm 至2

50kgf/mm。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述电解铜箔的伸长率为2％至15％。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述电解铜箔的厚度为2μm至10μm。

说明书： 二次电池用电解铜箔及其生产方法技术领域[0001] 本发明涉及一种二次电池用电解铜箔及其生产方法，更具体地说，涉及这样一种二次电池用电解铜箔及其生产方法，其中：在用负电极活性材料涂覆电解铜箔之后，能够抑

制负电极板形成毛刺和卷曲，从而增加负电极的装载容积并且增加容量。

背景技术[0002] 通常，电解铜箔被广泛用作电气/电子工业领域中使用的印刷电路板(PCB)的基本材料，并且对于诸如薄型笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、电子书播放器、MP3播放器、下一

代便携式电话和超薄平板显示器等小型产品来说，对电解铜箔的需求正在快速增长。进一

步地，通过改善电解铜箔的物理特性，电解铜箔被广泛用作二次电池的负电极集流器。

[0003] 通常，电解铜箔通过电解法产生，并且在电解槽中生产而成，所述电解槽包括由钛制成的圆柱形负电极(也称为“滚筒”)、正电极、电解质和电流电源，其中所述正电极与负电

极保持预定的间隔并且由涂覆有铅合金或氧化铱的钛制成。所述电解质由硫酸和/或硫酸

铜形成，在旋转圆柱形负电极的同时直流电流在负电极与正电极之间流动时，将铜电沉积

在负电极中，从而连续地生产出电解铜箔。如上所述，通过电解法将铜离子还原成金属的过

程被称为箔生产工艺。

[0004] 接下来，可以根据需要对通过箔生产工艺获得的铜箔进行额外的表面处理工艺，诸如改善与绝缘基板的粘附性的粗糙度处理工艺(也称为颗粒处理工艺)、防止铜离子扩散

的防扩散处理、防止铜箔从外部氧化的防腐处理，以及补充与绝缘基板的粘附性的化学粘

附性改善处理。当通过表面处理工艺时，铜箔成为薄型印刷电路用铜箔，而当在表面处理工

艺期间仅进行防腐处理时，铜箔成为二次电池用铜箔。

[0005] 当经电沉积的铜箔用于印刷电路时，对铜箔进行表面处理，然后以附着到绝缘基板上的形式(层压形式)供应给PCB加工公司。与此不同的是，当经电沉积的铜箔用于二次电

池时，铜箔仅通过防腐处理，然后供应给二次电池生产公司。

[0006] 当电解铜箔用作二次电池的负电极集流器时，通过用电极活性材料涂覆铜箔的两个表面来使用铜箔。在这种情况下，当电解铜箔的两个表面的照射强度不同时，电池性质会

改变，使得有必要保持电解铜箔的两个表面的照射强度为相同或相似的水平。

[0007] 另外，为了提高电解铜箔的强度，使用用负电极活性材料涂覆铜箔然后轧制铜箔的方法。当轧制铜箔时，可以增加强度，但是在对铜箔施加高密度和高压时，形成毛刺或卷

曲而使铜箔变形，从而对二次电池的容量产生不利影响。

[0008] 因此，需要一种二次电池用电解铜箔，其能够提高铜箔的强度并且防止铜箔形成毛刺或卷曲，甚至防止在对铜箔施加高密度和高压时铜箔形成毛刺或卷曲。

发明内容[0009] 技术问题[0010] 本发明提供这样一种二次电池用电解铜箔及其生产方法，其中，使总有机碳(TOC)以预定的含量包含在铜电解质中以减小晶粒尺寸，从而提高铜箔的强度。

[0011] 本发明提供这样一种二次电池用电解铜箔及其生产方法，其中，即使在用负电极活性材料涂覆电解铜箔之后在高密度和高压下压制电解铜箔时，也能够抑制负电极板形成

毛刺和卷曲，从而增加负电极的装载容积并且增加电池的容量。

[0012] 技术解决方案[0013] 根据本发明的一方面，本发明的示例性实施例包括一种通过使用滚筒由含有总有机碳(TOC)的电镀溶液生产的二次电池用电解铜箔，其中，电解铜箔由与滚筒直接接触的一

个表面和作为该一个表面的相对表面的另一个表面形成，并且该一个表面的平均横截面晶

粒尺寸为另一个表面的平均横截面晶粒尺寸的80％或更小。

[0014] 在电解铜箔中与滚筒直接接触的一个表面的平均横截面晶粒尺寸可以为0.5μm至1.55μm。

[0015] 在电解铜箔中作为一个表面的相对表面的另一个表面的平均横截面晶粒尺寸可以为1.5μm至2.1μm。

[0016] 在用负电极活性材料涂覆电解铜箔之后对电解铜箔进行压制，并且压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为0.5μm至1μm或更小，压制后的电解铜箔的平均横截面晶

粒尺寸可以为压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸的90％或更大。

[0017] 压制后的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为0.45μm至0.9μm。[0018] 电镀溶液中含有的TOC的浓度可以等于或大于100ppm。[0019] 所述压制的强度可以为4Mpa或更高。[0020] 电解铜箔的拉伸强度可以为30kgf/mm2至50kgf/mm2。[0021] 电解铜箔的伸长率可以为2％至12％。[0022] 电解铜箔的厚度可以为2μm至10μm。[0023] 根据本发明的另一方面，本发明的示例性实施例包括一种生产二次电池用电解铜箔的方法，所述方法包括：(1)制备含有铜和总有机碳(TOC)的电镀溶液；(2)在30℃至70℃

的温度条件下施加30安培/平方分米(ASD)至150ASD的电流密度，并且通过使用滚筒进行电

镀；以及(3)用负电极活性材料涂覆通过电镀形成的电解铜箔并且压制所述电解铜箔；其

中，通过操作(2)中的电镀形成的电解铜箔由与滚筒接触的一个表面和作为该一个表面的

相对表面的另一个表面形成，并且该一个表面的平均横截面晶粒尺寸为另一个表面的平均

横截面晶粒尺寸的80％或更小。

[0024] 电镀溶液中含有的TOC的浓度可以等于或大于100ppm。[0025] 电解铜箔的拉伸强度可以为30kgf/mm2至50kgf/mm2。[0026] 电解铜箔的伸长率可以为2％至15％。[0027] 电解铜箔的厚度可以为2μm至10μm。[0028] 压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为0.5μm至1μm或更小，并且压制后的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸的

90％或更大。

[0029] 有益效果[0030] 根据本发明，使TOC以预定的含量包含在铜电解质中以减小晶粒尺寸，从而实现可以提高铜箔的强度的效果。

[0031] 根据本发明，使TOC以预定的含量包含在铜电解质中，使得即使在用负电极活性材料涂覆电解铜箔之后在高密度和高压下对电解铜箔进行压制时，也能够抑制负电极板形成

毛刺和卷曲，从而增加电池的容量。

附图说明[0032] 图1是示出根据本发明的示例性实施例的通过使用滚筒生产电解铜箔的操作的图示。

[0033] 图2是示出根据本发明的示例性实施例的压制前的电解铜箔的横截面晶粒尺寸的图示。

[0034] 图3是示出根据本发明的示例性实施例的压制后的电解铜箔的横截面晶粒尺寸的图示。

[0035] 图4是示出根据本发明的示例性实施例的与滚筒接触的一个表面的相对表面的晶粒尺寸的图示。

[0036] 图5是示出根据本发明的示例性实施例的与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸的图示。

[0037] 图6是示出根据本发明的示例性实施例的生产二次电池用电解铜箔的方法的流程图。

具体实施方式[0038] 示例性实施例的其他具体内容包括在具体实施方式和附图中。[0039] 当提及参考附图详细描述的示例性实施例时，将清楚优点和特征以及用于实现它们的方法。然而，本发明不限于本文公开的示例性实施例，而是本发明将以各种形式实现，

并且提供示例性实施例以使得完整地公开本发明，并且本领域的普通技术人员可以充分地

理解本发明的范围，并且本发明将仅由所附权利要求的范围限定。进一步地，在附图中，为

了清楚地说明本发明，省略了与本发明无关的部分，并且在整个说明书中相同的附图标记

表示相同的元素。

[0040] 在下文中，将参考附图描述本发明。[0041] 接下来，将更详细地描述根据本发明的示例性实施例的二次电池用电解铜箔。[0042] 根据本发明的示例性实施例的二次电池用电解铜箔通过使用滚筒旋转铜箔来生产。图1是示出根据本发明的示例性实施例的通过使用滚筒生产电解铜箔的操作的图示。然

后，为了提高电解铜箔的强度，对电解铜箔进行压制，在这种情况下，由于压制过程中的高

密度和高压，在电解铜箔中可能形成毛刺或卷曲。本发明的效果在于，因为压制前和压制后

电解铜箔的物理特性的变化很小，因此可以容易地保持电解铜箔的形状。

[0043] 进一步地，根据本发明的示例性实施例的二次电池用电解铜箔是通过使用滚筒生产的二次电池用电解铜箔，并且压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为0.5μm至1

μm，压制后的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸可以为压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒

尺寸的90％或更多。图2是示出根据本发明的示例性实施例所述的压制前的电解铜箔的横

截面晶粒尺寸的图示，并且，图3是示出根据本发明的示例性实施例所述的压制后的电解铜

箔的横截面晶粒尺寸的图示。

[0044] 当压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸小于0.5μm时，晶粒尺寸太小，使得晶粒不能用作电解铜箔内的势垒而引起问题，而当压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸

大于1μm时，晶界减少，使得可能存在电解铜箔的强度降低的问题。

[0045] 根据本发明的电解铜箔由与滚筒直接接触的一个表面和作为该一个表面的相对表面的另一个表面形成，并且该一个表面的平均横截面晶粒尺寸可以为另一个表面的平均

横截面晶粒尺寸的80％或更小。作为参考，一个表面和另一个表面的平均横截面晶粒尺寸

可以指在室温下一个表面和另一个表面的平均横截面晶粒尺寸，而室温是指15℃至25℃的

温度范围。当一个表面的平均横截面晶粒尺寸为另一个表面的平均横截面晶粒尺寸的80％

或更大时，与滚筒直接接触的一个表面的晶粒尺寸与作为该一个表面的相对表面的另一个

表面的晶粒尺寸之间的差别在压制操作中减小，并且在压制操作中晶粒不能用作缓冲物，

从而导致电解铜箔在压制后变形的问题。图4是示出根据示例性实施例所述的与滚筒接触

的一个表面的相对表面的晶粒尺寸的图示，并且，图5是示出根据示例性实施例所述的与滚

筒直接接触的一个表面的晶粒尺寸的图示。

[0046] 电解铜箔的一个表面的平均横截面晶粒尺寸可以为0.5μm至1.55μm。当电解铜箔的一个表面的平均横截面晶粒尺寸小于0.5μm时，晶粒尺寸太小，使得晶粒不能用作电解铜

箔内的势垒而引起问题，而当电解铜箔的一个表面的平均横截面晶粒尺寸大于1.55μm时，

晶界减少，使得可能存在电解铜箔的强度降低的问题。

[0047] 进一步地，电解铜箔的另一个表面的平均横截面晶粒尺寸可以为1.5μm至2.1μm。当电解铜箔的另一个表面的平均横截面晶粒尺寸小于1.5μm时，晶粒尺寸太小，使得晶粒不

能用作电解铜箔内的势垒而引起问题，而当电解铜箔的另一个表面的平均横截面晶粒尺寸

大于2.1μm时，晶界减少，使得可能存在电解铜箔的强度降低的问题。

[0048] 通常在生产电解铜箔时，为了提高电解铜箔的强度，使用在用负电极活性材料涂覆电解铜箔后在高密度和高压下压制电解铜箔的方法。因此，当在高密度和高压下压制电

解铜箔时，可以增加电解铜箔的强度，但是由于压制后在电解铜箔中形成的毛刺和卷曲会

导致电解铜箔变形，使得在高密度和高压下的压制方法不是优选的。

[0049] 因此，为了防止在压制电解铜箔时铜箔发生变形，需要较高的屈服强度，而为了获得较高的屈服强度，需要在电解铜箔的表面上形成较小尺寸的晶粒。由于在电解铜箔的表

面上形成的晶粒的尺寸较小，所以晶界的数量增加，而晶界是滑移的障碍并且用作电解铜

箔中的势垒，使得当预定区域中的晶界增加时，电解铜箔的强度增加。如上所述，即使在高

密度和高压下压制电解铜箔时，为了防止电解铜箔变形，重要的是使晶粒尺寸较小。

[0050] 在现有技术中，为了使晶粒尺寸较小，使用将添加剂插入到电镀溶液中并诱导插入的添加剂在电镀期间对晶界具有阻止效果以抑制晶粒生长的方法。然而，在现有技术中，

在压制电解铜箔之后晶粒尺寸发生变化并且变形，使得难以保持现有的晶粒形状，因此当

在高密度和高压下压制电解铜箔时，形成毛刺或卷曲而引起电解铜箔的变形。

[0051] 在本发明中，为了解决相关技术中的问题，使在对电解铜箔进行电镀时使用的铜电解液中含有100ppm或更多的TOC，使得即使在高密度和高温下压制电解铜箔时也可以防

止铜箔发生变形，从而保持电解铜箔的形状。

[0052] 包含在铜电解质中的TOC是总有机碳的缩写，表示总有机碳，并且是指电解质中含有的有机材料中的碳的量，它包含在铜电解质中，用于减小晶粒尺寸。当铜电解质中存在总

无机碳(TIC)而不是TOC以及存在吸附到铜离子上的碳时，难以保持预定的晶粒尺寸的比

率。

[0053] 图6是示出根据本发明的示例性实施例所述的生产二次电池用电解铜箔的方法的流程图。参考图6，根据本发明所述的生产二次电池用电解铜箔的方法包括：(1)制备含有

2+

60g/L至140g/L的铜离子(Cu )、70g/L至200g/L的硫酸、10ppm至90ppm的氯和100ppm或更多

的TOC的电镀溶液(S100)；(2)在30℃至70℃的温度条件下施加30ASD至150ASD的电流密度，

并且通过使用滚筒进行电镀(S200)；以及(3)用负电极活性材料涂覆通过电镀形成的电解

铜箔，然后压制电解铜箔(S300)。

[0054] 在操作(1)(S100)中，作为制备电镀溶液的操作，制备含有60g/L至140g/L的铜离2+

子(Cu )、70g/L至200g/L的硫酸、10ppm至90ppm的氯和100ppm或更多的TOC的电镀溶液。在

该电镀溶液中，TOC能够使电解铜箔的晶粒尺寸保持预定的比率。TOC的浓度优选为100ppm

或更多，而TOC的浓度更优选为100ppm至650ppm。当用负电极活性材料涂覆电解铜箔然后对

其进行压制时，在压制前和压制后TOC使晶粒尺寸变化最小，使得可以容易地保持晶粒的形

状。当TOC的浓度超出该范围时，可能在压制后的电解铜箔中形成毛刺或卷曲。

[0055] 当电镀溶液中的铜离子和硫酸离子超出该范围时，存在的问题是，在随后进行的电镀中铜箔没有适当地沉淀或者铜箔的硬度降低。

[0056] 另外，在电镀溶液中优选含有10ppm至90ppm的氯，并且当在高温下加热沉淀物以提高高温下的热稳定性时，在电镀期间氯抑制在晶界界面上形成的沉淀物CuCl2的晶体生

长。当氯的浓度超出10ppm至90ppm范围时，电解铜箔的拉伸强度可能降低，并且电解铜箔在

高温下的热稳定性可能降低。

[0057] 在操作(2)(S200)中，在30℃至70℃的温度条件下给在操作(1)中制备的电镀溶液施加30ASD至150ASD的电流密度，并且通过使用滚筒进行电镀。当电镀温度和电流密度超出

上述范围时，无法适当地进行电镀，使得电解铜箔的表面无法均匀形成，或者拉伸强度和伸

长率降低，从而导致电池的性能降低。

[0058] 操作(3)(S300)包括用负电极活性材料涂覆通过电镀形成的电解铜箔然后压制电解铜箔的操作。电解铜箔可以在4MPa或更高的强度下压制，并且当压制的强度小于4Mpa时，

可能不会形成卷曲，使得压制的强度小于4Mpa不是优选的。

[0059] 进一步地，根据本发明所述的二次电池用电解铜箔的拉伸强度可以为30kgf/mm22

至50kgf/mm。

[0060] 当拉伸强度小于30kgf/mm2时，在用负电极活性材料涂覆电解铜箔之后，在压制制造过程中电解铜箔可能变形或断裂。当二次电池充电/放电时，二次电池在其他活性材料

(例如石墨)收发锂离子的过程中膨胀或收缩，并且在这种情况下，活性材料层与电解铜箔

2

紧密接触，使得由于膨胀或收缩而产生应力。当拉伸强度小于30kgf/mm 时，电解铜箔不能

承受该应力而断裂，使得不能保持电池的性能，而且电解铜箔因断裂而发生变形，使得存在

正电极和负电极短路的问题。

[0061] 进一步地，根据本发明所述的二次电池用电解铜箔的伸长率可以为2％至12％。[0062] 当电解铜箔的伸长率较大时，在电极制造过程中涂覆活性材料时电解铜箔抵抗张力，以防止电解铜箔在该过程中断裂，并且可以防止电解铜箔由于在卷绕电极的过程中施

加的应力而断裂。另外，在电池的充电/放电循环期间，防止电池效率降低并且防止电池断

裂以提高电池的性能。然而，当伸长率大于15％时，二次电池在充电/放电期间发生显著变

形而引起短路，而当伸长率小于2％时，电解铜箔可能容易断裂。

[0063] 拉伸强度和伸长率彼此成反比，使得当拉伸强度增加时，伸长率降低，而当拉伸强度降低时，伸长率增加。因此，为了生产防止断裂并具有较高的拉伸强度的电解铜箔，重要

2

的是将拉伸强度和伸长率保持在合适的范围内。因此，拉伸强度优选保持30kgf/mm 至

2

50kgf/mm ，并且当伸长率保持在2％至15％的范围时，在二次电池变形时可以防止正电极

和负电极短路。

[0064] 进一步地，根据本发明所述的二次电池用电解铜箔的厚度可以为2μm至10μm。当电解铜箔的厚度小于2μm时，电解铜箔可能容易断裂，而当电解铜箔的厚度大于10μm时，所生

产的二次电池的容积和重量增加，使得电解铜箔的厚度大于10μm不是优选的。

[0065] 在下文中，将描述本发明的实例和对比实例。然而，以下实例仅是本发明的实例，并且本发明的范围不受所述实例的限制。

[0066] 根据TOC的浓度测试铜箔的性能[0067] (实例1)[0068] 制备含有100g/L的铜离子、130g/L的硫酸、30ppm的氯和360ppm的TOC的电镀溶液，并且使用滚筒通过施加90ASD的电流密度在50℃的温度下进行电镀。然后，用负电极活性材

料涂覆通过电镀形成的电解铜箔，然后在4Mpa的强度下对其进行压制。

[0069] (实例2至8)[0070] 以与实例1相同的方式生产电解铜箔，不同的是电镀溶液中含有的TOC的浓度和生产电解铜箔之后的压制强度，这些在下表1和2中示出。

[0071] (对比实例1至3)[0072] 在对比实例1至3中，在与实例1相同的条件下生产电解铜箔，不同的是当制备电镀溶液时，如表2所示，插入100ppm或更少的TOC。

[0073] 以上描述了实例1至8和对比实例1至3的实验条件，测量每一个通过所述方法生产的二次电池用电解铜箔的拉伸强度、伸长率、压制强度(Mpa)、压制后的卷曲、压制后的平均

横截面晶粒尺寸、压制前的平均横截面晶粒尺寸，并且计算压制后的平均横截面晶粒尺寸

与压制前的平均横截面晶粒尺寸的比率；测量与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸与和该一

个表面相对的另一个表面的晶粒尺寸，并且计算与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸与和该

一个表面相对的另一个表面的晶粒尺寸的比率，这些在下表1和2中示出。

[0074] 通过从实例1至8和对比实例1至3中的每一个获得的电解铜箔采集宽度为12.7mm×标距长度为50mm的拉伸试样并在IPC?TM?6502.4.18B标准下、在50.8mm/min的十字头速

度下进行拉伸试验测量的拉伸强度的最大载荷称为拉伸强度，并且电解铜箔断裂时的伸长

率称为伸长率。

[0075] 表1[0076][0077] 表2[0078][0079] 参考表1和2，在对比实例1至3中，其中TOC浓度小于100ppm，可以看出压制后的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸小于压制前的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸的90％，压制

后形成的卷曲超过20mm。这意味着电解铜箔在压制后变形，使得在压制过程中形成毛刺或

卷曲，并且当形成毛刺或卷曲时，电池的容量可能降低。同时，参考实例1至8，其中TOC浓度

大于100ppm，可以看出压制后的电解铜箔的平均横截面晶粒尺寸为压制前的电解铜箔的平

均横截面晶粒尺寸的90％或以上，在这种情况下，可以看出压制后形成的卷曲被抑制，为

20mm或更小。

[0080] 参考与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸与和该一个表面相对的另一个表面的晶粒尺寸的比率，在实例1至8中所有比率均等于或小于80％。为了防止压制后在电解铜箔中

形成毛刺或卷曲，与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸与和该一个表面相对的另一个表面的

晶粒尺寸的比率需要为80％或更小，并且在这种情况下，在压制后，晶粒用作缓冲物，从而

防止电解铜箔变形。因此，在实例1至8中，其中与滚筒接触的一个表面的晶粒尺寸与和该一

个表面相对的另一个表面的晶粒尺寸的比率为80％或更小，可以看出压制后形成20mm或更

小的卷曲，使得抑制了在电解铜箔中形成卷曲。同时，在对比实例1至8中，其中与滚筒接触

的一个表面的晶粒尺寸与和该一个表面相对的另一个表面的晶粒尺寸的比率大于80％，压

制后形成的卷曲大于20mm，在这种情况下TOC浓度小于100ppm，使得可以看出电镀溶液中的

TOC浓度影响电解铜箔的晶粒尺寸并且还影响电解铜箔的生产中压制后卷曲的形成。

[0081] 本领域技术人员将理解，在不改变本发明的技术精神或基本特征的情况下，可以进行各自特定形式和细节上的改变。因此，应该意识到，上述实施例旨在从各个意义上进行

说明，而不旨在进行限制。本发明的范围由下面描述的权利要求而不是具体实施方式的范

围来表示，并且应当解释，从权利要求的含义和范围及其等同概念得出的所有变化或修改

形式均包括在本发明的范围内。