权利要求书： 1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
提供N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极，所述基底具有相对的所述前表面以及后表面，所述前表面为受光面，所述后表面为背光面；
在所述基底前表面形成氧化硅层，所述氧化硅层背离所述基底的表面分布有悬挂键；
在所述基底前表面形成第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层覆盖所述氧化硅层，临近所述氧化硅层的所述氮氧化硅子层通过所述悬挂键与所述氧化硅层结合，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减，在垂直于所述基底前表面的方向上，所述第一钝化层的厚度为10nm~
25nm，所述第一钝化层的第一折射率为1.4 2.0；
~
在所述第一钝化层表面形成第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；
在所述基底后表面形成钝化接触结构。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，形成所述第一钝化层的工艺步骤包括：采用第一射频功率电离前驱体，以形成位于所述基底前表面的第一氮氧化硅子层；采用第二射频功率电离所述前驱体，以形成覆盖所述第一氮氧化硅子层的第二氮氧化硅子层，所述第一射频功率大于所述第二射频功率。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一射频功率为
12000W 14000W，所述第二射频功率为10000W 12000W。
~ ~
4.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
N型基底以及位于所述基底前表面的P型发射极；
位于所述基底前表面的第一钝化层，所述第一钝化层包括多个氮氧化硅子层，在垂直于所述基底前表面的方向上，每一所述氮氧化硅子层的厚度不大于20nm，所述氮氧化硅子层内掺杂有氢离子，在远离所述基底的方向上，所述多个氮氧化硅子层的折射率递减，在垂直于所述基底前表面的方向上，所述第一钝化层的厚度为10nm 25nm，所述第一钝化层的第~一折射率为1.4 2.0；
~
覆盖所述第一钝化层表面的第二钝化层，所述第二钝化层包括多个氮化硅子层，在远离所述基底的方向上，所述多个氮化硅子层的折射率递减；
声明：
“太阳能电池及其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
939
编辑：中冶有色网
来源：浙江晶科能源有限公司
分享 0
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
2025年06月06日 ~ 08日 
