权利要求书： 1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括依次叠置的背场层(20)、基层(30)和发射层(40)，所述背场层(20)与所述发射层(40)之间具有PN结，所述基层(30)为超晶格结构层，所述超晶格结构层包括多个叠置的周期结构，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括GaAs，另一个所述子结构层包括InxGa1?xAs，再一个所述子结构层包括InyGa1?yP，其中，0
沿靠近所述发射层(40)的方向上，一个所述周期结构中的三个所述子结构层依次为第一子结构层(31)、第二子结构层(32)和第三子结构层(33)，包括GaAs的所述子结构层为所述第一子结构层(31)，包括InxGa1?xAs的所述子结构层为所述第二子结构层(32)，包括InyGa1?yP的所述子结构层为所述第三子结构层(33)；
一个所述周期结构中，包括GaAs的所述子结构层的厚度在2nm～50nm之间，包括InxGa1?xAs的所述子结构层的厚度在1～15nm之间，包括InyGa1?yP的所述子结构层的厚度在2～30nm之间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述周期结构有2～200个，所述基层(30)的厚度在100～5000nm之间。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，至少部分所述周期结构还包括第四子结构层(34)，所述第四子结构层(34)位于所述第三子结构层(33)的远离所述第二子结构层(32)的表面上，所述第四子结构层(34)包括InzGa1?zAs，其中，0
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，各所述周期结构中，包括InyGa1?yP的所述子结构层为第三子结构层(33)，与所述发射层(40)距离最小的所述周期结构中不包括所述第四子结构层(34)；所述第四子结构层(34)的厚度在1～15nm之间。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，0.3
6.一种太阳能电池的制作方法，用于制作权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底的表面上设置背场层；在所述背场层的远离所述衬底的表面上叠层设置多个周期结构，形成基层，各所述周期结构包括叠置的三个子结构层，各所述周期结构中的三个所述子结构层中的一个所述子结构层包括
声明：
“太阳能电池与其制作方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：紫石能源有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
