权利要求书： 1.一种高效背面接触型太阳能电池单元，其中在第一导电型的半导体基板的作为非受光面的背面上形成有扩散第二导电型的杂质的杂质扩散层，并设置有与所述杂质扩散层接触的电极，其中，
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所述杂质扩散层中杂质的表面浓度为5×10 原子/cm以上且5×10 原子/cm以下，和所述杂质扩散层中杂质的扩散深度为从所述背面的表面起1μm以上且2.9μm以下，
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其中，所述杂质扩散层中杂质的浓度的最大值为7×10 原子/cm以上且7×10 原子/3
cm以下，
所述杂质扩散层中杂质的浓度成为所述最大值的位置为从所述背面的表面起0.1μm以上且1μm以下的深度，所述电极为至少含有玻璃料、银和铝的烧结体，
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所述电极的截面面积为350μm以上且1000μm以下，和所述电极部分地贯入所述杂质扩散层，贯入的深度为从所述背面的表面起0.1μm以上且1.9μm以下。
2.根据权利要求1所述的高效背面接触型太阳能电池单元，其中所述杂质扩散层的薄层电阻为60Ω/□以上且150Ω/□以下。
3.根据权利要求1或2所述的高效背面接触型太阳能电池单元，其中所述第一导电型为n型，所述第二导电型为p型。
4.一种太阳能电池组件，其通过电连接多个根据权利要求1至3任一项所述的高效背面接触型太阳能电池单元来形成。
5.一种光伏发电系统，其通过电连接多个根据权利要求4所述的太阳能电池组件来形成。
说明书： 高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统
技术领域[0001] 本发明涉及具有有利的转换效率的高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统。背景技术[0002] 太阳能电池单元典型地由尺寸为100～150mm2、厚度为0.1～0.3mm的板状的多晶硅或单晶硅等制成，太阳能电池单元的主要材料为掺杂有硼等p型杂质的p型半导体基板。在这种太阳能电池单元中，n型扩散层(发射极层)和防反射膜形成于接受太阳光的受光面上，并形成贯通防反射膜以与发射极层接触的电极。
[0003] 在太阳能电池单元中，电极对于取出光伏转换而得的电流是必不可少的。然而，由于电极的遮蔽，太阳光不能射入受光面上的电极区域下方的部位，电极的面积越大，转换效率下降得
声明：
“高效背面接触型太阳能电池单元、太阳能电池组件和光伏发电系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：信越化学工业株式会社
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2025年06月06日 ~ 08日 
