太阳能电池及形成方法

权利要求书： 1.一种太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括隧穿氧化层；

在所述隧穿氧化层表面形成依次堆叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，所述第二半导体层内含有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素的类型为N型或P型；

对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第一热处理，所述第一热处理适于提高所述第一半导体层的结晶程度以及所述第三半导体层的结晶程度；

在进行所述第一热处理之后，对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第二热处理，以使所述第一掺杂元素向所述第一半导体层以及所述第三半导体层内扩散，使所述第一半导体层转换为第一钝化接触层，所述第二半导体层转化为第二钝化接触层，所述第三半导体层转化为第三钝化接触层，且所述第二热处理的温度大于所述第一热处理的温度。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为非晶材料；在进行所述第一热处理之后，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为多晶材料。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层均为本征半导体层。

4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第三半导体层内含有第二掺杂元素，且所述第二掺杂元素的类型与所述第一掺杂元素的类型相同，且所述第三半导体层内的所述第二掺杂元素的浓度小于所述第二半导体层内所述第一掺杂元素的浓度。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度与所述第二半导体层的厚度成正比例关系，且所述第一半导体层的厚度与所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度成正比例关系。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为600摄氏度～850摄氏度。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为850摄氏度～1050摄氏度。

8.一种太阳能电池，采用如权利要求1～7中任一项所述的太阳能电池的形成方法制备，其特征在于，包括：基底，所述基底包括隧穿氧化层；

依次堆叠在所述隧穿氧化层表面的第一钝化接触层、第二钝化接触层和第三钝化接触层，所述第一钝化接触层、所述第二钝化接触层和所述第三钝化接触层含有掺杂元素，所述掺杂元素的类型为N型或者P型。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化接触层的厚度小于所述第三钝化接触层的厚度；所述第二钝化接触层的厚度小于所述第一钝化接触层的厚度。

10.根据权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三钝化接触层的结晶程度高于所述第二钝化接触层的结晶程度；所述第一钝化接触层的结晶程度高于所述第二钝化接触层的结晶程度。

说明书： 太阳能电池及形成方法技术领域[0001] 本发明实施例涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及形成方法。背景技术[0002] 随着光伏产业的迅猛发展、对太阳能电池技术研究的不断进步与深入，多种不同结构的钝化接触太阳能电池被开发，如钝化发射极电池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)、隧穿氧化层钝化接触电池(TunnelOxidePassivatingContacts，TOPCon)、异质结太阳能电池(HeterojunctionwithintrinsicThinlayer，HIT)电池等，同时硅基体的太阳能电池的光电转换效率要求也越来越高。其中隧穿氧化层钝化接触太阳能电池可以显著降低金属接触区域太阳能电池体内和表面的复合，同时兼具良好的接触性能，可以极大地提升太阳能电池的效率。[0003] 但是，现有制备太阳能电池的方法所制备的太阳能电池结晶度不高，导致太阳能电池中的掺杂元素分布不均匀，太阳能电池的钝化性能较低，进而影响电池的转换效率。因此，如何提高太阳能电池的钝化性能成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。发明内容[0004] 本发明实施例提供一种太阳能电池及形成方法，有利于解决太阳能电池钝化性能较低的问题。[0005] 为解决上述问题，本发明实施例提供一种太阳能电池的形成方法，包括：提供基底，所述基底包括隧穿氧化层；在所述隧穿氧化层表面形成依次堆叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，所述第二半导体层内含有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素的类型为N型或P型；对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第一热处理，所述第一热处理适于提高所述第一半导体层的结晶程度以及所述第三半导体层的结晶程度；在进行所述第一热处理之后，对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第二热处理，以使所述第一掺杂元素向所述第一半导体层以及所述第三半导体层内扩散，使所述第一半导体层转换为第一钝化接触层，所述第二半导体层转化为第二钝化接触层，所述第三半导体层转化为第三钝化接触层，且所述第二热处理的温度大于所述第一热处理的温度。[0006] 另外，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为非晶材料；在进行所述第一热处理之后，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为多晶材料。[0007] 另外，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层均为本征半导体层。[0008] 另外，在进行所述第一热处理之前，所述第三半导体层内含有第二掺杂元素，且所述第二掺杂元素的类型与所述第一掺杂元素的类型相同，且所述第三半导体层内的所述第二掺杂元素的浓度小于所述第二半导体层内所述第一掺杂元素的浓度。[0009] 另外，在进行所述第一热处理之前，所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度与所述第二半导体层的厚度成正比例关系，且所述第一半导体层的厚度与所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度成正比例关系。[0010] 另外，所述第一热处理的温度为600摄氏度～850摄氏度。[0011] 另外，所述第二热处理的温度为850摄氏度～1050摄氏度。[0012] 本发明实施例还提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底包括隧穿氧化层；依次堆叠在所述隧穿氧化层表面的第一钝化接触层、第二钝化接触层和第三钝化接触层，所述第一钝化接触层、所述第二钝化接触层和所述第三钝化接触层含有掺杂元素，所述掺杂元素的类型为N型或者P型。[0013] 另外，所述第二钝化接触层的厚度小于所述第三钝化接触层的厚度；所述第二钝化接触层的厚度小于所述第一钝化接触层的厚度。[0014] 另外，所述第三钝化接触层的结晶程度高于所述第二钝化接触层的结晶程度；所述第一钝化接触层的结晶程度高于所述第二钝化接触层的结晶程度。[0015] 与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：[0016] 本发明实施例提供的太阳能电池的形成方法，先用较低的温度进行第一热处理，使得位于两侧的第一半导体层和第三半导体层提高结晶程度，然后采用较高的温度进行第二热处理，使得第一掺杂元素扩散至第一半导体层和第三半导体层，形成钝化接触层，因为第一热处理的温度不足以让第一掺杂元素扩散，所以第一半导体层和第三半导体层在第一掺杂元素扩散之前就具有较高的结晶程度，结晶程度越高，半导体层的原子排列越整齐，在后续第一掺杂元素扩散后，形成的钝化接触层中第一掺杂元素分布的越均匀，太阳能电池的钝化性能越好，进而提高了电池的转化效率。[0017] 第三半导体层内含有第二掺杂元素，并且第三半导体层内的第二掺杂元素的浓度小于第二半导体层内第一掺杂元素的浓度，这样在第二热处理之前，第三半导体层内已经含有掺杂元素，在形成第三钝化接触层时不需要通过第一掺杂元素扩散的方式获取掺杂元素，太阳能电池中需要通过第一掺杂元素扩散获取掺杂元素的半导体层减少，所以在形成第二半导体层时，减少第二半导体层内的第一掺杂元素的剂量，降低了第二半导体层中因第一掺杂元素过多形成掺杂死层的风险。附图说明[0018] 一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。[0019] 图1～图4为本发明第一实施例提供的一种太阳能电池形成方法的各步骤结构示意图；[0020] 图5～图7为本发明第二实施例提供的一种太阳能电池形成方法的各步骤结构示意图；[0021] 图8为本发明第三实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图。具体实施方式[0022] 由背景技术可知，现有技术的太阳能电池钝化性能较低。[0023] 一般的太阳能电池的钝化接触结构，在隧穿氧化层表面先沉积本征多晶硅层，再往本征多晶硅层中注入掺杂元素或扩散掺杂元素，形成钝化接触结构，但是先形成结晶程度较高的本征多晶硅层再注入掺杂元素，容易使得大量的掺杂元素集中在钝化接触结构的表面，在表面形成掺杂死层，使得太阳能电池的钝化性能下降，同时大量的掺杂死层会使得钝化接触结构的结晶程度下降，导致太阳能电池的金属栅极层与钝化接触结构的接触性能下降。[0024] 由于上述太阳能电池存在的问题，自然容易想到首先沉积掺杂多晶硅层，再通过退火处理，激活掺杂元素，使得掺杂元素扩散形成钝化接触结构，但是激活的掺杂元素容易扩散至隧穿氧化层，在隧穿氧化层上形成针孔状的损伤，导致太阳能电池的钝化性能下降，同时直接沉积的具有掺杂元素的多晶硅层的结晶程度较低，会导致后续掺杂元素扩散不均匀，进而导致太阳能电池的钝化性能较低。[0025] 为解决上述问题，本发明实施提供一种太阳能电池的形成方法，提高了太阳能电池的钝化性能，进而提高了电池的转化效率。[0026] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。[0027] 本实施例中，太阳能电池为钝化接触电池，具体可以为TOPCon电池。[0028] 图1～图4为本发明第一实施例提供的一种太阳能电池形成方法的各步骤结构示意图。以下将结合附图对本发明第一实施例提供的一种太阳能电池的形成方法进行详细说明。[0029] 参考图1和图2，提供基底100，基底100包括隧穿氧化层120。基底100为双层结构，包括具备发射极的衬底110和隧穿氧化层120。[0030] 本实施例中，所述具备发射极的衬底110具备PN结结构，若衬底110的本征材料为P型单晶硅衬底，则其发射极为N型扩散层；若衬底110的本征材料为N型单晶硅衬底，则其发射极为P型扩散层。[0031] 衬底110的表面类型包括：绒面、抛光面或刻蚀面等；衬底110的材料可以为单晶硅、多晶硅或类单晶硅等。[0032] 衬底110用于接收太阳光并产生光生载流子，该衬底110包括相对设置的正面和背面，可以理解的是，衬底110的正面是接收太阳光线照射的表面，衬底110的背面与正面相背，为背光面，隧穿氧化层120设置于衬底110的背面。[0033] 本实施例中，隧穿氧化层120的材料为氧化硅。在其他实施例中，隧穿氧化层的材料为氧化铝。[0034] 隧穿氧化层120的厚度为1nm～1.5nm(纳米)，具体可以为1.1nm、1.2nm、或1.3nm。可以理解的是，该隧穿氧化层120的厚度是指隧穿氧化层120的所有区域的厚度均在1nm～

1.5nm。

[0035] 控制所形成的隧穿氧化层120的厚度在1nm～1.5nm之间，可以避免隧穿氧化层120的厚度太厚，当厚度超过一定阈值时，其隧穿效应会减弱，钝化效果并不会继续增强，并且隧穿氧化层越厚，需要长时间的掺杂元素扩散来匹配，增加了成本和降低了生产效率。[0036] 在一个例子中，隧穿氧化层120的形成步骤可以包括：采用热氧化法，衬底110的表面形成第一氧化层；然后采用湿法氧化法或臭氧氧化法，在第一氧化层上继续生长氧化层，形成隧穿氧化层120。首先采用热氧化法方法，再采用湿法氧化法或臭氧氧化法弥补热氧化偏薄区域，从而形成均匀的隧穿氧化层120，优化了隧穿氧化层膜厚的均匀性，进而提高了电池的钝化均匀性，最终提高电池的转换效率。[0037] 具体地，热氧化法的处理温度为550摄氏度～650摄氏度，具体可以为580摄氏度、600摄氏度或630摄氏度；热氧化法的处理时间为4min(分钟)～10min，具体可以为5min、

7min或9min。可选的，热氧化法所需的气体包括氧气。

[0038] 本实施例中，在隧穿氧化层120表面形成依次堆叠设置的第一半导体层101、第二半导体层102和第三半导体层103，第二半导体层102内含有第一掺杂元素，第一掺杂元素的类型为N型或P型。[0039] 具体地，在隧穿氧化层120远离衬底110的表面依次形成第一半导体层101、第二半导体层102以及第三半导体层103。[0040] 在其他实施例中，还可以在第三半导体层远离第二半导体层的表面形成金属栅极层，所述金属栅极层为太阳能电池的电极。[0041] 第一半导体层101不仅在后续形成第一钝化接触层时可以起到钝化效果，还可以防止第二半导体层102内的第一掺杂元素扩散至隧穿氧化层120，对隧穿氧化层造成损伤，降低太阳能电池的钝化性能。第二半导体层102含有第一掺杂元素，第一掺杂元素扩散后会形成第二钝化接触层，第二钝化接触层对多数载流子实现选择性传输，保证多数载流子的有效传输，使得太阳能电池达到了钝化效果。[0042] 第三半导体层103不仅在后续形成第三钝化接触层时可以起到钝化效果，还可以防止过多的第一掺杂元素扩散至太阳能电池表面，形成掺杂死层，影响太阳能电池与金属栅极层的接触性能。[0043] 第一半导体层101和第三半导体层103的材料均为非晶材料，且第一半导体层101和第三半导体层103均为本征半导体层。具体地，第一半导体层101和第三半导体层103的材料可以为本征非晶硅，本征非晶硅相对于掺杂非晶硅在第一热处理后具有更好的结晶程度，有利于在第一掺杂元素扩散之前使得太阳能电池具有更好得结晶程度。[0044] 形成本征非晶硅的工艺包括：以硅烷为反应气体通过化学气相沉积法进行沉积，化学气相沉积法可以为低压化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法、或常压化学气相沉积法等。[0045] 化学气相沉积法的工艺条件包括：反应腔体内的压力可以为0.1托～0.5T托，具体可以为0.2托、0.3托或0.4托；反应温度为100摄氏度～700摄氏度，具体可以为200摄氏度、400摄氏度或600摄氏度。

[0046] 第一半导体101的厚度和第三半导体103的厚度可以为2nm～2000nm，具体可以为100nm、500nm或1500nm。

[0047] 本实施例中，第一半导体层101的厚度与第二半导体层102内的第一掺杂元素的浓度成正比例关系，因为第二半导体层102内第一掺杂元素的浓度较高，在第一掺杂元素扩散到第一半导体层101时，会有大量的第一掺杂元素扩散至第一半导体层101，所以第一半导体101的厚度需要根据第二半导体层102内第一掺杂元素的浓度设置，以防止在第一掺杂元素扩散至第一半导体层101时产生的掺杂死层较少，进而防止太阳能电池的钝化性能降低。[0048] 本实施例通过控制第一半导体层101的厚度，降低扩散至隧穿氧化层的第一掺杂元素剂量，从而降低对隧穿氧化层的破坏。[0049] 第二半导体层102的材料可以为掺杂非晶硅层。形成掺杂非晶硅层的工艺包括：通过化学气相沉积法进行原位沉积，具体地，当第一掺杂元素为磷元素时，可以使用硅烷和磷烷作为反应气体，以一定的体积流量比将该两种反应气体通入至反应腔室中，通过化学气相沉积法形成具有第一掺杂元素的掺杂非晶硅层。[0050] 第二半导体层102的厚度可以为2nm～2000nm，具体可以为100nm、500nm或1500nm，本实施例中，第二半导体层102的优选厚度为20nm～300nm，具体可以为50nm、150nm或250nm。需要注意的是，第二半导体层102的厚度小于第一半导体层101的厚度和第三半导体层103的厚度，因为第二半导体层102含有第一掺杂元素，形成的第一半导体层101的厚度和第三半导体层103的厚度越大，在后续第二热处理后，第一掺杂元素扩散到第一半导体层

101和第三半导体层103形成的掺杂死层就会越少。

[0051] 第一掺杂元素的类型为N型或P型，N型可以为：磷或砷等5价元素；P型可以为：铟、硼等3价元素。[0052] 本实施例中，第二半导体层102内的第一掺杂元素的浓度与第二半导体层102的厚度成正比例关系，第二半导体层102内的第一掺杂元素的浓度越高，第二半导体层102的厚度越大，第二半导体层102内的掺杂死层会越少，减少掺杂死层会提高半导体层的结晶程度，进而提高太阳能电池的钝化性能。[0053] 参考图3，本实施例中，对第一半导体层101、第二半导体层102和第三半导体层103进行第一热处理107，第一热处理107适于提高第一半导体层101的结晶程度以及第三半导体层103的结晶程度。[0054] 本实施例中，第一热处理107提供的热能小于第一掺杂元素从第二半导体层102内扩散至第三半导体层103内所需的能量，且第一热处理107提供的热能小于第一掺杂元素从第二半导体层102内扩散至第一半导体层101内所需的能量。[0055] 在进行第一热处理107之后，第一半导体层101和第三半导体层103的材料均为多晶材料，具体可以为本征多晶硅。[0056] 第一热处理107的温度为600摄氏度～850摄氏度，具体可以为650摄氏度、700摄氏度或800摄氏度。[0057] 第一热处理107的温度可以使得第一半导体层101的结晶程度和第三半导体层103的结晶程度提高，但是不会激活第二半导体层102内的第一掺杂元素，第一掺杂元素不会扩散，第一半导体层101和第三半导体层103在第一掺杂元素扩散之前就具有较高的结晶程度，结晶程度越高，半导体层的原子排列越整齐，在后续第一掺杂元素扩散后，形成的钝化接触结构中第一掺杂元素分布的越均匀，太阳能电池的钝化性能越好，进而提高了电池的转化效率。[0058] 参考图4，在进行第一热处理107(参考图3)之后，对第一半导体层101(参考图1)、第二半导体层102(参考图1)和第三半导体层103(参考图1)进行第二热处理108，以使第一掺杂元素向第一半导体层101以及第三半导体层103内扩散，使第一半导体层101转换为第一钝化接触层104，第二半导体层102转化为第二钝化接触层105，第三半导体层103转化为第三钝化接触层106。[0059] 具体地，第二热处理108激活第二半导体层102内的第一掺杂元素，扩散后形成的第一钝化接触层104、第二钝化接触层105和第三钝化接触层106整体形成钝化接触结构。[0060] 由于在第一掺杂元素扩散之前第一半导体层101和第三半导体层103就已经具有较高的结晶程度，所以形成的第一钝化接触层104和第三钝化接触层106中第一掺杂元素分布比较均匀，第一钝化接触层104和第三钝化接触层106具有良好的钝化效果。[0061] 第二半导体层102内的部分第一掺杂元素扩散至第一半导体层101和第三半导体层103后，剩余的第一掺杂元素较少，同时由于第二热处理108，形成的第二钝化接触层105也具有较高的结晶程度，第二钝化接触结构105也具有良好的钝化效果。[0062] 第一钝化接触层104、第二钝化接触层105和第三钝化接触层106的材料可以为掺杂多晶硅。[0063] 第二热处理108的温度大于第一热处理107的温度。因为第一热处理107时只需要提高第一半导体层101和第三半导体层103的结晶程度，不需要激活第一掺杂元素，所以温度较低，但是第二热处理108需要激活第一掺杂元素，使之扩散，所以第二热处理108的温度大于第一热处理107的温度，这样采用分步不同温热处理的方式，使得在第一掺杂元素扩散之前，第一半导体层101和第三半导体层103已经具有较高的结晶程度。[0064] 本实施例中，第二热处理108的温度为850摄氏度～1050摄氏度，具体可以为900摄氏度、950摄氏度或1000摄氏度。[0065] 本实施例通过两次温度不同的热处理，使得第二半导体层内的第一掺杂元素扩散之前，第一半导体层和第三半导体层已经具有较高的结晶程度，形成的钝化接触结构具有较高的结晶程度，而且钝化接触结构中第一掺杂元素分布也比较均匀，提高了太阳能电池的钝化性能，进而提高了太阳能电池的转化效率。[0066] 本发明第二实施例提供一种太阳能电池的形成方法，与本发明第一实施例提供的太阳能电池的形成方法大致相同，主要区别在于第三半导体层中含有第二掺杂元素，以下将结合附图对本发明第二实施例提供的一种太阳能电池的形成方法进行详细说明。[0067] 图5～图7为本发明第二实施例提供的一种太阳能电池形成方法的各步骤结构示意图。[0068] 参考图5～图7，本实施例中，在进行第一热处理207之前，第三半导体层203内含有第二掺杂元素，且第二掺杂元素的类型与第一掺杂元素的类型相同。[0069] 第三半导体203内含有第二掺杂元素，这样在第二热处理208之前，第三半导体层203内已经含有掺杂元素，在形成第三钝化接触层206时不需要通过第一掺杂元素扩散的方式获取掺杂元素，太阳能电池中需要通过第一掺杂元素扩散获取掺杂元素的半导体层减少，所以在形成第二半导体层202时，减少第二半导体层202内的第一掺杂元素的剂量，降低了第二半导体层202中因第一掺杂元素过多形成掺杂死层的风险。

[0070] 第三半导体层内203的第二掺杂元素的浓度小于第二半导体层202内第一掺杂元素的浓度。第三半导体层203内的第二掺杂元素浓度小，形成的钝化接触结构的表面掺杂死层较少，有利于提高太阳能电池表面和金属栅极层的接触性能。[0071] 本实施例中，第三半导体层203内第二掺杂元素的浓度与第三半导体层203的厚度成正比例关系。因为第二半导体层203内第二掺杂元素的浓度越大，越容易产掺杂死层，不仅降低了太阳能电池的钝化性能，而且降低了太阳能电池表面与金属栅极层的接触性能，但是相应的提高第三半导体层203的厚度，可以减少掺杂死层。[0072] 本实施例提供的太阳能电池的形成方法中，第三半导体层内有第二掺杂元素，在第二热处理后，不需要太多的第一掺杂元素往第三半导体层扩散，所以形成的第二半导体层内的第一掺杂元素剂量降低，有利于减少第二半导体层内因含有大量第一掺杂元素而导致的掺杂死层。[0073] 本发明第三实施例提供一种基于上述太阳能电池的形成方法形成的太阳能电池，以下将结合附图对本实施例提供的太阳能电池进行详细说明。[0074] 图8为本发明第三实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图。[0075] 参考图8，本实施例中，太阳能电池包括：基底300，基底包括隧穿氧化层320；依次堆叠在隧穿氧化层320上的第一钝化接触层304、第二钝化接触层305和第三钝化接触层306，第一钝化接触层304、第二钝化接触层305和第三钝化接触层306含有掺杂元素，掺杂元素的类型为N型或者P型。

[0076] 在其他实施例中，还可以在第三钝化接触层远离第二钝化接触层的表面形成金属栅极层，所述金属栅极层为太阳能电池的电极。[0077] 基底300为双层结构，包括具有发射极的衬底310和隧穿氧化层320。[0078] 衬底310包括相对设置的正面和背面，可以理解的是，衬底310的正面是接收太阳光线照射的表面，衬底310的背面与正面相背，为背光面，隧穿氧化层320设置于衬底310的背面。[0079] 第一钝化接触层304、第二钝化接触层305和第三钝化接触层306的材料相同，具体可以为掺杂多晶硅。[0080] 第二钝化接触层305的厚度小于第一钝化接触层304的厚度。第一钝化接触层304与隧穿氧化层320接触，第一钝化接触层304厚度较大，扩散至隧穿氧化层320的掺杂元素较少，不会破坏隧穿氧化层320，从而提高了太阳能电池的钝化性能。[0081] 第一钝化接触层304的结晶程度高于第二钝化接触层305的结晶程度。因为在形成太阳能电池的过程中，第一钝化接触层304在具有掺杂元素之前已经具有较高的结晶程度，所以形成的第一钝化接触层304的结晶程度高于第二钝化接触层305的结晶程度。[0082] 第二钝化接触层305的厚度小于第三钝化接触层306的厚度。第三钝化接触层306为太阳能电池的表面，后续需要与金属栅极层接触，第三钝化接触层306的厚度较大，有利于减少太阳能电池表面的掺杂死层，提高了太阳能电池和金属栅极的接触性能。[0083] 本实施例通过控制第三钝化接触层306的厚度，可以控制扩散到太阳能电池表面的掺杂元素的剂量，从而更好的控制太阳能电池表面掺杂元素的浓度，以及金属栅极层和太阳能电池的接触性能。[0084] 第三钝化接触层306的结晶程度高于第二钝化接触层305的结晶程度。因为在形成太阳能电池的过程中，第三钝化接触层306在具有掺杂元素之前已经具有较高的结晶程度，所以形成的第三钝化接触层306的结晶程度高于第二钝化接触层305的结晶程度。[0085] 本实施例提供一种太阳能电池，通过控制太阳能电池中各层的厚度，降低掺杂元素对隧穿氧化层的破坏，同时提高了金属栅极层和太阳能电池的接触性能，进而提高了太阳能电池的钝化性能。[0086] 本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。