权利要求书： 1.一种太阳能电池的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括隧穿氧化层；
在所述隧穿氧化层表面形成依次堆叠设置的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，所述第二半导体层内含有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素的类型为N型或P型；
对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第一热处理，所述第一热处理适于提高所述第一半导体层的结晶程度以及所述第三半导体层的结晶程度；
在进行所述第一热处理之后，对所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层进行第二热处理，以使所述第一掺杂元素向所述第一半导体层以及所述第三半导体层内扩散，使所述第一半导体层转换为第一钝化接触层，所述第二半导体层转化为第二钝化接触层，所述第三半导体层转化为第三钝化接触层，且所述第二热处理的温度大于所述第一热处理的温度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为非晶材料；在进行所述第一热处理之后，所述第一半导体层和所述第三半导体层的材料均为多晶材料。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第一半导体层和所述第三半导体层均为本征半导体层。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第三半导体层内含有第二掺杂元素，且所述第二掺杂元素的类型与所述第一掺杂元素的类型相同，且所述第三半导体层内的所述第二掺杂元素的浓度小于所述第二半导体层内所述第一掺杂元素的浓度。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，在进行所述第一热处理之前，所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度与所述第二半导体层的厚度成正比例关系，且所述第一半导体层的厚度与所述第二半导体层内的所述第一掺杂元素的浓度成正比例关系。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为600摄氏度～850摄氏度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池的形成方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为850摄氏度～1050摄氏度。
8.一种太阳能电池，采用如权利要求1～7中任一项所述的太阳能电池的形成方法制备，其特征在
声明：
“太阳能电池及形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：浙江晶科能源有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
