权利要求书： 1.一种太阳能电池(1)的制造方法，该太阳能电池具有异质结、针对光入射设置的前侧(15)和与所述前侧(15)对置的背侧(16)，其中该方法具有以下步骤：?提供第一传导类型的晶体半导体衬底(2)；
?在所述半导体衬底(2)的前侧表面上形成至少一个第一无定形纳晶和/或微晶半导体层或半导体层组(3,5)，或是在形成与所述第一传导类型相反的第二传导类型的前侧发射极情况下，或是在形成所述第一传导类型的前侧表面区位的情况下；
?在所述半导体衬底(2)的背侧背面上形成至少一个第二无定形纳晶和/或微晶半导体层或半导体层组(4,6)，或是在形成所述第一传导类型的背侧表面区位情况下，或是在形成所述第二传导类型的背侧发射极情况下；
?在所述前侧发射极或所述前侧表面区位上形成至少一个导电透明的前侧电极层(7)，并且在所述背侧表面区位或所述背侧发射极上形成至少一个导电透明的背侧电极层(8)；
?形成前侧金属接触层格栅结构(9)以导电接触所述前侧发射极或所述前侧表面区位；
?在形成所述前侧金属接触层格栅结构(9)之后，在前侧上PECD沉积非导电的透明介电前侧覆层(11)；和?在所述背侧电极层(8)上形成背侧金属化结构；
其特征是，为了沉积所述前侧覆层(11)而采用不需要掩模的表面选择性PECD沉积或热丝CD，并且所述前侧覆层(11)以这样的厚度被沉积，使得所述前侧覆层(11)紧接在其层沉积之后在没有附加的热处理和/或化学处理情况下只在环绕所述前侧金属接触层格栅结构(9)的区域上而没有在所述前侧金属接触层格栅结构(9)上形成一个封闭层，其中，所述导电透明的前侧电极层(7)是TCO层，为了形成所述前侧接触层格栅结构(9)而选择主要由银或铜构成的材料，并且该材料在采用膏糊情况下以指形结构形式被印制；
为了沉积所述前侧覆层(11)，采用至少一个SiOx层、SiNx层、SiOxNy层或由至少两种上述材料的组合物构成的层或层组；
所述前侧覆层(11)在采用硅烷化合物情况下被沉积；并且
所述前侧覆层(11)在50℃至250℃之间的温度范围内被沉积。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述背侧金属化结构的形成具有以下步骤：?形成背侧金属接触层格栅结构(10)以便导电接触所述背侧发射极或所述背侧表面区位；
?在形成所
声明：
“太阳能电池制造方法、用该方法制造的太阳能电池和衬底座” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：梅耶博格(德国)股份有限公司
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2025年06月06日 ~ 08日 
