权利要求书： 1.一种异质结太阳能电池，其特征在于：它包括由向光面至背光面依次叠设的第一电极、第一导电膜层、P型微晶叠层、本征膜层、半导体基板、隧穿氧化层、N型半导体膜层、第二导电膜层以及第二电极；所述P型微晶叠层包含一层以上的含氧型微晶层和一层以上的非含氧型微晶层。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述半导体基板为单晶硅片，所述半导体基板向光面设有金字塔绒面，所述半导体基板背光面为化学抛光面。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述本征膜层为氢化本征非晶硅层，厚度为3?12nm；所述P型半导体膜层的厚度为9?45nm。
4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述N型半导体膜层为N型多晶硅层。
5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述隧穿氧化层厚度为1?
2nm；所述N型多晶硅层的厚度为20?300nm、方阻为30?200Ω/□。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述P型微晶叠层包括由向光面至背光面依次叠设的非含氧型微晶层、含氧型微晶层以及非含氧型孵育层，其对应的膜厚比例为（0.5?1.5）：1：（0.15?0.6）。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述P型微晶叠层的各个膜层为逐阶段提高P型掺杂气体与硅烷的比值进行沉积形成。
8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一导电膜层和/或第二导电膜层为透明导电膜层；所述透明导电膜层为氧化铟锡、掺钨的氧化铟、掺镓掺锌氧化铟、掺铝氧化锌、掺锌氧化铟、掺镓氧化锌、掺钛氧化铟的一种膜层或两种以上膜层组合。
9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一导电膜层的厚度为
60?110nm；所述第二导电膜层的厚度为15?50nm。
10.根据权利要求1?9任意一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述N型半导体膜层和第二导电膜层之间设有高掺杂晶化硅膜层。
11.根据权利要求10所述的异质结太阳能电池，其特征在于：所述高掺杂晶化硅膜层的
19 20 ?3
厚度为0.3 3nm，其掺杂浓度为1×10 ?2×10 cm 。
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说明书： 异质结太阳能电池技术领域[00
声明：
“异质结太阳能电池” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：福建金石能源有限公司
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2025年05月09日 ~ 11日 
