一种(Bi
1/2K
1/2)TiO
3基二元无铅压电陶瓷及其制备,属于压电陶瓷领域。所用的原料为Bi
2O
3,K
2CO
3,TiO
2,Sb
2O
3和MnCO
3,实现了无铅陶瓷的制备。该体系在800‑900℃进行煅烧,1040‑1070℃进行烧结Bi(Mg
2/3Sb
1/3)O
3的加入,成功了提高了KBT的压电性能,在准同型相界(MPB)x=1.5%附近,退极化温度T
d=200℃,d
33=104pC/N。在传感器,致动器,滤波器等方面具有巨大的应用潜力。
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“(Bi1/2K1/2)TiO3基二元无铅压电陶瓷及其制备” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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