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高Tr-t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法

929   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:29:35
本发明提供的一种高Tr‑t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法,利用(1‑x‑y)Pb(In1/2Nb1/2)O3‑xPb(Sc1/2Nb1/2)O3‑yPbTiO3(PIN‑PSN‑PT)体系作为织构陶瓷粉体,x、y均表示摩尔分数,0.405≤x≤0.445,0.365≤y≤0.405;在<001>C BT模板上进行织构,其主要原理是PIN‑PSN‑PT陶瓷粉体在水平<001>C BT模板上进行定向生长,获得与单晶类似的各向异性的结构,从而获得接近单晶的压电性能,在此基础上结合4R工程畴在非自发极化方向上极化,最终获得高Tr‑t和Tc及较高压电性能的织构陶瓷。
声明:
“高Tr-t和Tc的铅基<001>C织构压电陶瓷材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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