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低介电损耗介质陶瓷及其制备方法

1019   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:29:35
本发明公开了一种低介电损耗介质陶瓷及其制备方法,所述介质陶瓷的化学组成符合通式为:Li2(Zn1‑xAx)Ti3+yO8+2y,其中,A为Mg或Co,x的取值范围为0.02≤x≤0.08,y的取值范围为0.13≤y≤0.21。本发明以Li系硅酸盐作为介质陶瓷的主要原料,以Li2ZnTi3O8为基础的晶体结构进行制备,具有理想的介电常数εr和品质因数Q×f,同时其烧结温度较常规温度降低了120‑160℃,保证了陶瓷材料的烧结温度能低于Cu、Ag等的熔点,便于进一步加工,最终得到具有极低介电损耗的介质陶瓷,满足实际使用的需求。
声明:
“低介电损耗介质陶瓷及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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