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利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法

1113   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:29:31
本发明公开了一种利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法,属于导电材料技术领域。本发明所述方法通过使用脉冲激光沉积方法沉积薄膜,控制激光能量密度、衬底温度、氧分压、沉积时间等研究Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的生长工艺与特性,并最终得到TiN/Al‑Hf0.5Zr0.5O2/TiN/Pt/Ti/SiO2/Si的MIM结构电容器。本发明制备的铁电薄膜,与现有技术的钙钛矿结构的铁电薄膜相比,具有与CMOS器件的兼容性好、可集成性高、铁电层厚度尺寸小、热稳定性好和化学稳定性高的特点,经过高温快速退火处理工艺后的薄膜,具有介电常数大、剩余极化强度大、漏电流小的优点。
声明:
“利用PLD制备Al掺杂Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜电容器的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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