本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法,其组分和含量为LaMnO3基础上添加10-70mol%TiO2,同时添加0-60mol%的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料,(2)造粒,(3)成型,(4)烧成,(5)电极制备。本发明克服了NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点,提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm,而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的
钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。
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