本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜及其制备方法和应用。所述薄膜是由镧对钛酸锶钡A位及锰对钛酸锶钡B位共掺杂得到。该薄膜的制备是先制备La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材;然后利用得到的La、Mn共掺杂的BST陶瓷溅射靶材在硅衬底基片上制备镍酸镧底电极;再利用得到的镍酸镧底电极、采用射频磁控溅射法沉积所述的钛酸锶钡薄膜。本发明实现了采用磁控溅射法制备镧和锰共掺杂的钛酸锶钡薄膜;且制得的BST薄膜呈
钙钛矿结构,单一相,无杂相,且具有(100)择优取向;尤其是,具有高介电可调性、低介电损耗以及适中介电常数,有望应用于制作介电调谐器件。
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