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基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法

1096   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:29:24
本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法,所述的材料是以钙钛矿结构PZT体系为基体,将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体,化学成分符合化学通式(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3,其中,a的取值范围为0<a≤0.06,x的取值范围为0<x<1.0,y的取值范围为0<y<1.0;制备方法主要步骤包括粉体和粘结剂制备、配料、混炼、粗轧、精轧和膜切,最后排胶、烧结,根据需要镀或者溅射不同电极或叠层。与现有技术相比,本发明制备的反铁电材料具有很高的击穿场强(≥200kV/cm)和储能密度(2J/cm3?4.2J/cm3),制备工艺简单,操作简便,成本较低,适合工业生产。
声明:
“基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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