本发明涉及一种基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法,所述的材料是以
钙钛矿结构PZT体系为基体,将La和Sn分别部分代替Pb和Zr进入基体,化学成分符合化学通式(Pb1?aLa2a/3)(Zr1?x?ySnxTiy)O3,其中,a的取值范围为0<a≤0.06,x的取值范围为0<x<1.0,y的取值范围为0<y<1.0;制备方法主要步骤包括粉体和粘结剂制备、配料、混炼、粗轧、精轧和膜切,最后排胶、烧结,根据需要镀或者溅射不同电极或叠层。与现有技术相比,本发明制备的反铁电材料具有很高的击穿场强(≥200kV/cm)和
储能密度(2J/cm3?4.2J/cm3),制备工艺简单,操作简便,成本较低,适合工业生产。
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“基于轧膜工艺的PZT基反铁电材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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