本发明公开一种考虑键合线断裂的IGBT模块老化失效分析方法,所述方法包括:步骤一,利用PSpice得到IGBT模块在工况下的损耗;步骤二,根据IGBT模块的实际尺寸建立键合线不同断裂情况下的有限元模型;步骤三,通过ANSYS Thermal‑Electric对步骤一得到的IGBT模型进行热电耦合分析;步骤四,将步骤二中得到的温度场结果导入ANSYS Workbench Static Structure中进行电‑热‑结构耦合分析,得到IGBT模块各位置的应力应变结果;步骤五,通过ANSYS nCode DesignLife软件对IGBT模块进行疲劳分析,完成对于键合线不同断裂情况下IGBT模块的老化失效分析。本发明借助仿真软件完成,无需破坏相应的IGBT模块,考虑了键合线的断裂对IGBT模块的可靠性影响。
本发明提供了一种用于芯片失效分析中精确定位的背面观察基座,其包括金属支架,所述金属支架的中心设有中心孔,在该中心孔中安装有玻璃片,在所述玻璃片上还设置有用于提供基准坐标的两个特殊标记,所述两个特殊标记为蚀刻于或粘贴于所述玻璃片上的,其位置为所述背面观察基座的玻璃片上的任何位置且可被设置为相同或者不同的形状。由此,在失效分析分析中,在PEM/OBIRCH采用背面模式定位异常点时能够在正面位置准确找到并记录异常点位置。本发明还涉及采用该背面观察基座在芯片失效分析中进行精确定位的方法。
本发明公开了一种城市天然气管道失效多因素多态概率分析方法及其应用。本方法重点对造成管道失效的腐蚀、设计、操作管理、环境和第三方破坏等主要因素的失效状态进行了修正研究,建立了燃气管道贝叶斯网络概率计算模型,分别对管道失效单因素多态、两因素多态和多因素多态等情形进行定量计算,得出管道失效顶上事件概率以及各基本因素的结构重要度。本方法充分发挥了贝叶斯网络在处理复杂风险系统分析独特的推理能力,提高了对城市天然气管道安全失效定量分析的全面性、预见性和系统性,对天然气管道的风险管理和故障处理都具有一定的参考意义。
本发明公开了一种线路板的导电阳极丝失效分析方法,使用逐步分割的方式锁定失效区域,直至找到相邻的两个失效过孔,再对两个失效过孔进行研磨,精确定位导电阳极丝的形成位置,最后垂直导电阳极丝进行第二次研磨,使用扫描电镜和能谱仪观察导电阳极丝的截面,分析导电阳极丝形成原因,该发明具有对导电阳极丝形成位置定位快速、准确的优点。
本发明公开了一种基于终层失效的复合材料层合板分析方法,包括:S101、确定复合材料层合板的属性和结构特征;S102、确定复合材料层合板中的随机变量,并对各随机变量进行均匀离散化;S103、构建各随机变量的发生函数;S104、构建抗力序列发生函数;S105、构建系统抗力发生函数;S106、计算层合板的可靠度;本发明结合了复合材料层合板失效路径(抗力序列)之间因含有共同失效单元,以及抗力序列内部各失效单元因共享同一随机载荷源而引起的失效相关性,为复合材料层合板强度可靠性分析提供了一种新思路。
本发明公开一种叠层芯片封装产品失效分析方法,包括将塑封后的叠层芯片封装产品放置于加热设备中;设定温度曲线并加热烘烤;待烘烤结束后,将叠层芯片封装产品取出,分离出各层芯片,进行芯片异常判断分析。本发明的叠层芯片封装产品失效分析方法,使得芯片在无化学腐蚀或人为破损等二次破坏作用下,实现观察和分析芯片失效原因。
本申请公开了一种倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,位置标记方法包括:获取底部填充层中的失效结构在互连结构的阵列中的位置信息,位置信息以阵列的行列数表述;去除至少部分基板以形成暴露于外部的标记面,其中每个互连结构背离芯片的一端皆位于标记面上;在标记面上对位置信息所指示的位置做上标记。本申请提供的倒装芯片中失效结构的位置标记方法以及分析方法,通过去除至少部分基板以形成将阵列中每个互连结构上背离芯片的一端皆暴露于外部的标记面,然后根据失效结构的位置信息在标记面上进行标记,实现了在倒装芯片上对失效结构进行精准标记的目的,进而降低了获取失效结构的横向截面的操作难度。
本发明公开了一种电力自动化装置失效分析数据库管理系统设计方法,采用失效分析数据库管理系统对电力自动化装置的失效情况进行归纳汇总管理,失效分析数据库分类划分为人员表、案例表、装置表、插件表、元件表、软件表和术语表,分别用于将电力自动化装置的失效情况分类汇总至失效分析数据库,采用网页的形式快速进行信息交互,安全可靠、交互简单,有效解决现有失效模式管理方法中的信息索引效率低、系统性整理难度大和知识传承困难等缺点,能够快速有效地进行电力自动化装置失效分析案例管理,具有较高的实用价值和广阔的应用前景。
本发明公开了一种基于设备失效数据分析的产品可靠性提升方法,包括以下步骤:S1、采集核电设备的基础信息和故障信息;S2、根据基础信息和故障信息,进行故障模式分析,确定每个类型核电设备的故障模式和对应的失效部件;S3、根据基础信息和故障信息,进行设备可靠性计算和部件可靠性计算;S4、根据故障模式分析结果和来自经验反馈系统的数据,进行共性问题分析,生成产品可靠性提升报告。本发明以实际失效数据作为依托,可以更系统性分析出产品存在的问题与改进方向,比现有的依托经验反馈进行改进的方式,更加精确,可以作为设备制造商产品质量改进的基础,同时也可为设备选型及电厂成本预算提供依据。
本实用新型公开了一种用于TEM样品失效性分析的放置装置,包括样品杆、与样品杆固定连接的样品杯和用于放置待测样品的金属网,金属网包括环形框和固定在环形框中间的金属网格,样品杯包括与样品杆固定连接的杯下部、铰接在杯下部上的杯上部,杯上部的一端通过铰接件铰接在杯下部的一端,杯上部的中部具有圆形的上开口,上开口的上端具有环形的卡置部,卡置部的底面上具有环形的插接部,杯下部的中部具有下开口,下开口的下端具有环形的支撑部,杯下部的上端面上具有与样品杆的水平轴线平行的水平标记线;环形框上具有与杯上部的插接部相配合的环形凹槽。本实用新型具有在费用低且使用效率高的情况下就可以获得TEM样品水平图像的优点。
本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法,包括步骤:一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样,生成蒙特卡罗采样样本,并进行蒙特卡罗仿真,得到失效仿真结果;二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果,训练一个能够将失效样本区分出来的深度度量学习模型;三、对待进行失效分析的EDA电路,采用蒙特卡罗采样方法生成足够多的失效分析样本,并利用步骤二中训练的深度度量学习模型对样本进行筛选,筛选出可能失效样本;四、对可能失效样本进行SPICE电路仿真,得到失效的EDA电路并计算出失效率。本发明仿真效率高,可靠性高,在先进工艺大规模电路的仿真分析中具有明显的优势。
发明涉及一种基于失效评定图(FAD)的未爆先漏(LBB)分析方法,包括以下步骤:(a)服役状态分析;(b)初始裂纹选择;(c)载荷分析;(d)线弹性应力强度因子(SIF)计算;(e)极限载荷分析;(f)评定点坐标计算;(g)FAD选择;(h)评定点绘制;(i)弹塑性SIF计算;(j)J积分计算;(k)不同裂纹的J积分计算与拟合;(l)结构失效临界裂纹尺寸计算;(m)结构临界泄漏裂纹尺寸计算;(n)LBB准则评估,本发明基于FAD理论,克服了现有规范中弹塑性分析理论基础不足、现有J积分计算手册适用范围有限、有限元建模分析过程复杂,及计算结构失效临界裂纹尺寸和结构临界泄漏裂纹尺寸过程复杂等缺点,提供了一种基于FAD的LBB分析依据。
本发明公开了一种考虑桥墩失效模式的混凝土桥梁洪水易损性分析方法,方法包括以下步骤:1.确定待研究桥梁基本信息,包括桥面板尺寸,桥墩构造以及配筋信息;2.基于桥墩基本信息,计算桥墩抗剪承载力;3.基于桥梁基本信息在OpenSees中构建桥梁数值分析模型;4.确定水流深度,进而在桥梁相应深度施加均布荷载并进行推覆分析,直到桥墩达到最大承载能力;5.确定桥墩达到最大承载能力时的水流作用力,计算此时水流速;6.获得不同深度下桥墩倒塌时的水流速,拟合得到桥梁洪水易损性曲线;本发明给出了洪水作用下桥梁易损性分析方案,同时考虑了桥墩剪切失效模式对其在洪水冲击作用下的响应影响,有助于混凝土桥梁精确的洪水易损性评估。
本发明公开一种基于失效物理的IGBT模块可靠性分析方法,包括:根据IGBT模块的实际尺寸建立有限元模型,并在Spaceclaim中对IGBT模块模型进行合理简化;根据IGBT模块所处的环境剖面,在Icepak中进行相应的温度循环载荷设置,完成温度场分析;进行热‑结构耦合分析,得到IGBT模块各位置的应力应变结果,建立相应的热失效物理模型,得到该温度剖面下的疲劳损伤;将温度循环离散为温度点,对不同温度点下的IGBT模块进行振动应力仿真,建立相应的振动失效物理模型,得到该温度点下的随机振动疲劳损伤;采用Miner线性损伤累计方法得到总的疲劳累计损伤值,完成对IGBT模块的可靠性分析。本发明借助仿真软件完成,无需破坏相应的IGBT模块,克服了传统的试验法时间长、花费大的弊端。
本发明公开了一种基于数据融合的工程机械失效模式分析方法,对产品故障数据和零件失效数据进行采集、关联,将新出现的组合关系存入失效模式库;在融合的失效模式基础上,通过案例推理进行失效案例自相似性匹配,将相似度50%以下的案例自动存入案例库;采用数理统计、相关性、关联性等分析方法,统计失效模式分布规律,分析失效原因。并设计了关键零部件通用失效模式信息模型,开发了工程机械失效模式分析系统。本发明,有效解决大量失效数据及再制造数据分散性大、索引效率低、知识固化困难、以及失效规律难以挖掘等问题;可实现零部件失效模式规范化管理及信息共享;可实现不同工程机械零部件失效模式统一管理,信息集成能力强,应用范围广。
本发明提出一种集成电路的失效分析方法及系统,通过对集成电路进行电性测试,并获取第一电性测试数据,然后对所述集成电路进行电荷陷阱消除处理,对所述集成电路进行电性测试,并获取第二电性测试数据,若所述第一电性测试数据与所述第二电性测试数据的差异超过预设范围,则判定所述集成电路是由电荷陷阱引起的失效。
本发明涉及一种集成电路芯片失效分析样品的制备方法,包括下列步骤:在集成电路芯片样品上涂抹封装胶,使封装胶覆盖需要进行失效分析的部位;对涂好封装胶的样品进行加热固化;将固化后的样品抛光至所述需要进行失效分析的部位。本发明通过固化的封装胶对需要进行失效分析的部位进行加固,避免其在抛光过程中受力变形,从而能够保留原始形貌。制备过程不需要使用昂贵的设备,制备条件很容易被满足。
本发明涉及一种基于车载TFT屏显示失效分析系统,所述系统包括基于MCU单元的信号处理分析板卡和基于LABVIEW开发环境设计的上位机测试软件。信号解析系统将FPD_LINK信号解串,再进行转换提取关键信号参数经过MCU系统测量通过串口发送到上位机测试软件系统,另一方面板卡可以通过与TFT前屏驱动板通信接口连接读取屏内部寄存器值获取报警和错误标志,参照TFT厂家产品规格书映射相应报警及错误信息传输代码号到上位机软件系统。上位机测试软件系统可以接收来自板卡的视频数据信息和LVDS信号关键信号参数信息做出显示,另一方面能可以依据测试需要配置板卡内部LVDS信号处理芯片的参数。
本发明提供了一种在线分析电涌保护器寿命和失效的方法。提出了SPD寿命与失效时间计算的一种新方法。该方法通过监测SPD的漏电流、SPD的温升、SPD的温升速率、SPD电容变化、SPD在线时间、SPD泄放雷击的次数、SPD工作状态,并控制不同参数整体比重和加权因子最终得出SPD寿命与失效时间的计算。相比以前依靠单一数值进行SPD寿命与失效时间计算的准确性更高。
本发明公开了一种承压设备的定量风险分析中的失效可能性评价方法,采用错边和角变形缺陷参数修正定量风险分析RBI中的失效可能性;所述失效可能性F的计算方法为:F=FG×(FE+FD)×FM,其中,FG为同类设备平均失效概率,FD为错边和角变形缺陷修正系数,FE为设备修正系数,FM管理修正系数。本发明引入了错边和角变形缺陷修正因子,避免了API581标准中未考虑错边和角变形缺陷的局限,使得含有错边和角变形缺陷的承压设备在风险分析过程中的计算结果更加精确。该发明在基于风险的检验的基础上,通过对缺陷尺寸的确定,方便快捷地得到与之对应的修正因子数。
本申请公开了一种芯片结构的散热层缺陷失效分析方法,基于芯片结构的声学图像和三维图像确定散热层的第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸;基于芯片结构研磨样品的扫描图像确定散热层的第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸;对比所述第一厚度及其第一缺陷类型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷类型和尺寸,确定分析结果。可以在不破坏芯片结构的情况下测算散热层参数及定性失效模式,同时为后续破坏性分析提供数据对比,使得缺陷失效分析的准确性较高。
一种智能型电动执行机构失效分析方法。涉及自动控制领域,特别是一种智能型电动执行机构失效分析方法。提供了一种智能型电动执行机构失效分析的方法,对电动执行机构失效原因前进行分析,判断出电动执行机构失效点,改善电动执行机构的设计和工艺,减少失效的产生。通过对智能型电动执行机构功能划分,统计元器件的工作失效率和危险失效率,然后为了对各个元器件的失效率进行综合对比分析,对失效率进行数据归一化处理,另外,增加现场使用经验数据,可以丰富失效统计数据库,使本方法更加贴合实用,该算法一方面可以给失效风险的降低提供参考的依据,另外给失效故障点的定位提供了预测方法。
本发明公开了一种半导体芯片的失效分析方法,包括:切割半导体芯片制备具有横截面的样品;对样品的衡截面进行研磨抛光、水洗并干燥样品;配置化学染色液;将抛光好的样品放入所述化学染色液中进行染色处理;对染色处理后的样品进行清洗并干燥样品;将样品放置在扫描电镜中进行检查并进行显微摄影,进行失效分析。本发明在对样品进行研磨抛光之后,还采用化学染色液对样品表面进行化学处理,最后才使用扫描电子显微镜对掺杂物分布和结面轮廓进行二维描述,并且能够以较高的空间分辨率精确描绘掺杂剖面,从而可以对样品的失效节点进行详细而准确的分析。
本发明提供了一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法,所述综合分析方法包括:(Ⅰ)采用电测量分析方法对存在栅极硅氧化层失效的样品进行失效定位;(Ⅱ)采用化学分析方法对样品进行失效机理模型判断,判断确定栅极硅氧化层的失效原因是杂质污染,还是等离子体诱导损伤;(Ⅲ)如果失效机理模型是杂质污染,则采用飞行时间二次离子质谱对有栅极硅氧化层失效的样品进行污染元素定性探查;随后通过动态二次离子质谱对探查到的的污染元素进行精准定量测量。本发明采用更多的分析技术、仪器和方法联合应用于失效分析,能够快速准确地确定晶体管栅极硅氧化层的失效机理和模型,以便失效分析工程师提供更精准的分析报告。
本发明公开了一种基于失效面理论的复合材料层合板强度分析方法,涉及复合材料结构失效分析领域,该方法包括:基于三维失效面理论确定材料损伤柔度矩阵的计算公式,从而建立起复合材料力学本构关系;采用失效面上的应力构造失效准则以判断复合材料是否失效及其失效模式,并基于失效面坐标系进行复合材料的刚度退化。通过对有限元软件进行二次开发建立了复合材料层合板的三维有限元模型,仿真模拟了复合材料层合板损伤起始、损伤演化和最终破坏的完整过程。该方法物理机制明确,能较好地预测复合材料层合板的失效载荷与失效模式,在很大程度上提高了复合材料层合板强度分析的预测精度,从而避免进行大量耗时长、成本高的试验测试。
本发明关于一种半导体器件的失效分析方法,其包括步骤:去除半导体器件背面的铜层;对半导体器件背面的硅层进行减薄;及使用微光显微镜(Emission?Microscope,EMMI)和/或镭射光束诱发阻抗值变化测试(OBIRCH)电性定位设备定位半导体器件背面的失效点。本发明半导体器件的失效分析方法通过通过对半导体器件的背面进行除铜、硅层减薄及失效点定位,节约了时间,提高了效率及成功率。
本发明涉及集成电路的失效分析技术领域,且公开了一种三维存储器失效分析样品制备方法,包括以下步骤:步骤一、对封装进行电测试,根据电测试结果确认失效位置,并记录下失效的log,使用封装开封技术去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本发明利用实时图像采集及拼接技术,将真实芯片与设计图纸进行比对,并进行位置修正,确定失效精确位置后,缩小目标区域,通过阶梯开口方式,精确掌握垂直层数,最终实现快速定位及分析,通过对实际芯片的位置修正和定位,能够更准确及快速的实现失效位置确定,大大缩减了误判的发生率,并且由于定位准确,失效目标区域可以尽可能缩小,提高了分析操作效率。
本发明公开了一种高速钢中碳化物开裂失效的动态分析方法,包括如下步骤:设计样品尺寸并进行抛光腐蚀后,将其安装在原位测试平台上,放入SEM腔室内进行检测。本发明的优点为通过原位测试装置,在扫描电子显微镜(SEM)下观察高速钢中碳化物从裂纹萌生、扩展、直至断裂的整个连续过程以及碳化物与基体间的界面状态,从而能够实时地追踪观察样品表面的变形和损伤等方面组织特征在加载过程中的演化规律,更加直观地分析高速钢中碳化物的开裂机制。
本发明提供了一种电脑主板失效分析方法,该方法包括以下步骤:A、对样品进行外观检查,查看不良品表面是否有磨损、开裂等明显异常现象;B、对不良品进行失效点定位;C、使用良品对定位的失效点进行模拟验证;D、将不良品制成失效点位置的金相切片,并使用聚焦离子束系统对金相切片表面进行微切割;E、使用扫描电镜和能谱分析仪对金相切片进行分析,找出失效原因;F、模拟失效环境,对失效机理再次进行验证;G、综合分析,给出结论。本发明有如下优点:本发明分析方法步骤简单,操作方便,有效提高失效分析的速度和准确度,经过初步分析、初步验证、再次分析以及再次验证,从而保证了失效理由的可信度,提高了失效分析结果的信服度。
本发明提供一种锅炉受热面失效区域分析防治动态虚拟系统,是依据燃煤电厂锅炉受热面失效防治的工作特点,运用计算机虚拟现实技术,建立锅炉本体受热面失效分析防治及动态虚拟仿真系统,通过计算机图形工作站,将锅炉受热面进行计算机虚拟仿真,建立计算机锅炉受热面虚拟数字平台,采集锅炉母材缺陷数据、安装数据、炉管物理属性数据、失效历史数据、检修数据以及在线的运行状态数据,同时与电厂内部的设备管理系统和生产过程控制集成,通过对数据的挖掘、分类、计算、分析,对锅炉受热面易失效部位进行预测,并对定位的易发部位进行计算机仿真模拟,了解不同部位泄漏所造成的关联性损伤,从而建立预防措施,降低锅炉受热面失效事故发生率。
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