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本发明公开一种基于平推流反应动力模型的等温化学气相渗透（ICVI）的可编程控制器（PLC）-工控机（IPC）控制系统，包括工控机IPC、与工控机IPC进行通讯的PLC控制器、真空隔膜泵、加热单元、质量流量阀，以及流量、压力和温度传感器和I/O接口，工控机IPC包括人机界面（HMI）、有效滞留时间计算单元和流量计算单元；PLC控制器包括三个控制回路，为压力控制回路、温度控制回路和流量控制回路。本发明基于工控机IPC和PLC控制器的优势，对原有的控制系统进行了全面的改造，将现有的详细反应机理应用到气相渗透炉的工艺参数控制和优化中，通过平推流的动力学模型对有效滞留时间这一中间测量量进行实时的计算，达到对其有效的控制。
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本发明公开了一种化学增幅光刻胶等效扩散模型的建立方法,可同时考虑掩膜板图形的图形分布密度对于光刻胶扩散长度的影响,从而可以建立更为准确的光刻胶等效扩散模型,提高对光刻工艺各项参数的模拟结果的精确度。包括以下步骤:(1)测量光刻胶对一组不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的光刻工艺参数;(2)通过空间像模拟解算出光刻胶光酸对所述不同类型的测试图形在不同图形分布密度时的等效扩散长度值;(3)建立光刻胶光酸的等效扩散长度对各种类型的测试图形在不同图形分布密度时的函数或者表格;(4)根据待模拟图形的图形类型及图形分布密度,选择该待模拟图形相应的最佳等效扩散长度值。
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本发明公开了一种化学机械研磨装置以及化学机械研磨方法,该化学机械研磨装置包括:研磨平台;驱动装置,与所述研磨平台连接,用于驱动所述研磨平台旋转;传感器,与所述研磨平台连接,用于测量研磨平台的转速并将所述转速转换为转速信号;控制器,与所述传感器连接,用于接收传感器输出的转速信号并根据所述转速信号输出报警信号,以启动报警装置报警。所述传感器可测量所述研磨平台的实际转速,一旦所述研磨平台的转速出现异常,所述控制器可根据传感器输出的转速信号输出报警信号,操作人员即可知晓所述化学机械研磨机台出现故障并及时处理晶片,从而避免晶片报废。
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本发明公开了一种STI CMP工艺窗口确定方法,首先,在最佳估计的研磨时间上下递增和递减时间,记录下氮化硅残留的膜厚以及相对应的时间;然后对所有的硅片进行光学显微镜观察;接着,对所有无色差的硅片跳过氢氟酸腐蚀,直接用磷酸腐蚀,然后,对所有硅片进行光学显微镜观察;最后将CMP研磨时间工艺窗口的低段和高段之间的氮化膜的差以及所对应的研磨时间段确定为STI CMP工艺窗口。本发明可以有效而快速地建立起STI CMP研磨时间的工艺窗口,为后续优化工艺,缩短开发时间,提高产品良品率奠定基础。适用于半导体集成电路制造中的STI工艺。
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本发明提供一种化学消融导管、化学消融系统及医疗系统，所述化学消融导管可以与外部化学消融控制单元、封堵控制单元、脉冲发生控制单元配合使用，可以封堵目标组织，并向目标组织注入化学消融介质且释放脉冲电场，进一步的还可与电生理信号记录单元配合使用，标测消融效果，因此，可简化现有Marshall静脉化学消融的手术操作，提高消融的有效性和安全性。
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本发明提供了一种化学气相沉积设备的安装方法及化学气相沉积设备,其安装方法包括步骤:将晶舟安装在基座上,且在所述晶舟一侧设置有投影板;在所述投影板设置参照物;第一光束照射所述晶舟,使所述晶舟投影到所述投影板上形成晶舟投影;沿所述基座的中心轴旋转所述基座,且上述晶舟和所述基座一起旋转,测量在旋转过程中所述晶舟投影与所述参照物之间的距离,当旋转过程中所述距离发生变化时,则调整所述晶舟在所述基座上的位置,从而使得安装时晶舟能位于反应腔室中心。
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本发明提供一种化学机械抛光方法及化学机械抛光装置，充分考虑了化学机械抛光装置上的晶片载体随着长时间使用而导致的厚度变化对半导体晶片的抛光效果的影响，在设定用于半导体晶片抛光的工艺参数之前，先测量晶片载体的厚度，并计算出测得的晶片载体的厚度与待抛光的半导体晶片在完成抛光后的目标厚度之间的差值(即晶片载体相对抛光后的半导体晶片的突出量或者抛光后的半导体晶片相对晶片载体的突出量)，然后根据该差值设定用于半导体晶片抛光的工艺参数，当采用这组与该差值相关的半导体晶片抛光的工艺参数对该半导体晶片进行抛光后，该半导体晶片最终抛光后的抛光面的平整度会增加，因而提高了抛光效果。
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本发明提供了一种可利用高色度含醇废水氢-电联产的光化学电池装置。包括：以疏水多孔膜将反应器分为两区，阳极液为高色度含醇废水，阴极液为酸性溶液；以沉积铂黑的镀铂片作阴极；将负载TiO2光催化剂的旋鼓作阳极，通过转轴控制转速，在其表面形成微米级的液膜；激发光易于透过液膜照射到催化剂表面，产生空穴和电子，空穴氧化有机物后复合，可再被光激发，电子则通过外电路流入阴极区还原产氢；对阴极区氢气进行取样测定，并对外电路电流实时监测，完成利用高色度含醇废水实现氢-电联产的过程。本发明实现了同步产电、产氢、处理高色度含醇废水的三重功效；无需外加电压，实现了将有机污染物的化学能转化成氢能和电能等清洁的能源形式。
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本发明提供了一种用于二氧化碳的电化学还原的电化学反应器，该装置属于三腔室反应器，由两种隔膜(即阴离子导电聚合物薄膜和聚丙烯薄膜气体扩散电极)分隔三块有精密尺寸凹槽和开孔的透明有机玻璃板材构成；所述三腔室反应器包含有：气体腔室、阴极电解液腔室和阳极电解液腔室。所述气体腔室包括聚丙烯薄膜气体扩散电极聚丙烯薄膜一侧，阴极电解液腔室包括由银基催化剂作阴极的聚丙烯薄膜气体扩散电极催化层一侧，所述阳极电解液腔室包括具有混合金属氧化物催化剂的阳极。本发明的电化学反应装置整体采用材质透明、硬度较高、既耐碱性又耐酸性的有机玻璃，易于精密加工和组装，便于直接监控、观测电化学反应，且反应测试期间无二次污染。
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湿化学共沉淀制备的氧化锆(Mg—PSZ)的封接 工艺，介绍了一种用固体电解质陶瓷(Mg—PSZ)与 玻璃、陶瓷及合金的封接，可分别采用煤气—氧气混 合焰的普通灯工吹制及退火技术；中温封接及中、低 温范围不同降温速率的封接。 本发明工艺简单，封接件可达真空气密或氦检气 密的要求。特别是由于Mg—PSZ可与合金进行封 接，拓宽了Mg—PSZ作为氧敏器件的技术应用范 围。
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一种化学机械抛光方法，包括：将待抛光的晶片放置于化学机械抛光设备中，对晶片进行化学机械抛光，还包括通过清洗溶液对晶片进行清洗，实时测量清洗晶片后形成的处理溶液的开路电位，在处理溶液的开路电位达到开路电位阈值时，停止清洗。相应地，本发明还提供一种用于化学机械抛光的清洗装置，包括清洗单元、取样单元、实时测量单元、阈值测量单元和控制单元。本发明可以有效减少晶片表面的有机残留物。
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本发明为一种高纯度10-羟基喜树碱的化学半合成工艺,它以20(s)-喜树碱为原料,经过优化的N-氧化和光化学重排反应,产物经硅胶柱层析,即得到高纯度的10-羟基喜树碱。本工艺操作条件简便,反应试剂可回收利用,生产成本低,10-羟基喜树碱产品收率高,产物易分离,纯度达98.5%,符合国家药检标准。
本发明涉及一种用于对样气进行检测的设备，设备包括火焰离子化检测器，火焰离子化检测器包括样气进口、燃烧气体进口和助燃气体进口，在火焰离子化检测器中，流入火焰离子化检测器的样气在由燃烧气体和助燃气体生成的火焰的作用下发生电离，由此产生用于对样气进行化学分析的信号，设备还包括补偿气体供应装置，以向火焰离子化检测器提供补偿气体，以消除或减轻由样气中本身存在的氧气所造成的干扰，补偿气体为含氧气体。本发明还提供一种借助火焰离子化检测器对样气进行检测的方法。借助该设备和方法，可解决含氧气的样气中的氧气对检测结果的干扰问题。
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本发明涉及涂层导体Ni-5at.％W合金基带的电化学抛光方法，以Ni-5at.％W合金基带作为阳极，以纯镍片作为阴极，将Ni-5at.％W合金基带在静态下浸渍于电解抛光液中，开启电源对Ni-5at.％W合金基带进行抛光处理，抛光处理后的合金基带再经去离子水反复冲洗，并用无水乙醇脱水、风机吹干即可，电解抛光液为磷酸、硫酸、乙二醇按体积比为2-4∶3-5∶2-3混合而成的电解抛光液。与现有技术相比，本发明抛光后的合金基带通过原子力显微镜分析，在5×5μm范围内RMS小于1纳米，消除了由RABiTS制备基带产生的晶界沟槽效应，且对原始基带立方织构无影响，满足涂层导体对基带表面平整度的要求。
本发明涉及一种基于MXene的纸基双层电极电化学汗液传感器及其制备方法，所述传感器在纸基材料上具有多组双层结构的三电极体系，分别为参比电极、对电极和经MXene材料修饰的工作电极，利用蜡打印技术使纸基材料亲疏水区域通过折叠在层间形成多条微流控通道实现汗液的收集、流通、检测和扩散功能。本发明的传感器实现了无创式多物质同步检测人体汗液的功能，具有广泛的应用前景。
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本发明提供了一种低压化学气相沉积设备以及低压化学气相沉控制方法。根据本发明的低压化学气相沉积设备包括:真空泵;采集器;布置在真空泵与收集器之间的主阀门;工艺导管;以及布置在工艺导管中的气流方向检测装置。根据本发明的低压化学气相沉积设备能够在真空泵突然出现故障时防止工艺副产品的出现、并防止加工中的晶片报废,因此,所述低压化学气相沉积设备能够提高成品率,由此降低工艺成本。
本发明公开了一种化学机械研磨设备(CMP)及使用该CMP的研磨方法,其中CMP包括:用于固定待研磨的晶片的研磨头;旋转台和固定在所述旋转台表面的研磨垫,所述旋转台旋转研磨垫使得研磨垫与研磨头之间相对运动,以对晶片进行研磨;用于供给磨料至研磨垫上的磨料供给装置;用于调节供给至研磨垫上的磨料的分布的研磨垫整理器;以及用于检测研磨垫整理器与研磨头之间的距离的检测器,以防止研磨垫整理器与研磨头接触。当检测到所述距离小于等于预定值时,所述检测器发出预警信号。本发明中的化学机械研磨设备在晶片研磨过程中能够降低研磨垫整理器和研磨头发生碰撞的几率,提高研磨头及研磨垫整理器的使用寿命,同时提高了CMP设备的使用寿命。
发明提供了一类化学发光强度高、波长长、稳定性好的化学发光底物及其制备方法和应用。所述化学发光底物具有式Ⅰ所示结构。另外，本发明提供了所述化学发光探针在生理环境下的自发荧光波长及强度，及其在活体成像中的应用。测试结果表明，本发明中提供的的化学发光探针具有长波长的自发荧光(600nm)，能有效的穿透皮肤组织，高自发荧光强度(>107p/s/cm2/sr)，优异的热稳定性(不含1,2‑二氧杂环丁烷结构)及多样化的检测基团(适用于不同检测模型)。
本发明涉及一种基于纳米银‑氧化铜颗粒/石墨烯的无酶电化学葡萄糖传感器的制备方法，包括以下步骤：(1)分别称取银盐和铜盐溶于水中，混合，得到银铜前驱体溶液；(2)取氧化石墨烯分散于去离子水中，得到氧化石墨烯分散液；(3)将银铜前驱体溶液和氧化石墨烯分散液混合后，调节pH，水热反应，分离干燥，得到Ag‑CuO纳米颗粒/石墨烯复合材料，分散在无水乙醇中；(4)再取备用悬浮液滴加到玻璃碳电极上，干燥，即得到Ag‑CuO纳米颗粒/石墨烯电极；(5)再将其与对电极、参比电极组成三电极体系与电化学工作站相连形成电化学传感器，即得到目的产物。与现有技术相比，本发明制备的传感器对葡萄糖的检测具有高的灵敏度，低的检测限和宽的检测范围，而且成本低，环保无害等。
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一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法，其中，化学机械抛光装置包括：基座；固定于基座表面的研磨垫，研磨垫内具有检测窗，检测窗表面与研磨垫表面齐平，检测窗为透光材料；位于基座内的光头，光头位于检测窗下方，且光头与检测窗之间为空腔；固定于基座内的位置调节装置，位置调节装置与光头连接；位于研磨垫上方的检测装置，检测装置位于研磨垫上方，检测装置到研磨垫中心的水平距离、与第一检测装置到研磨垫中心的水平距离一致；分别与位置调节装置和第一检测装置连接的控制器，控制器根据检测装置检测的研磨垫减薄的厚度，控制光头下降相同距离。所述化学机械抛光装置光学终点检测精确。
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一种利用近红外光谱分析分选废旧家电破碎塑料的方法，将破碎后的废旧家电塑料进过破碎筛分之后，经过全光谱光源时，会主要吸收处于红外波段的光，运用近红外光谱仪收集经由片料反射的处于波长720‑1700nm的光线，光谱数据在工控主机内经过最小二乘法进行降噪、高斯拟合进行平滑处理之后再进行高斯函数逼近，提取数据特征值所对应的波长n与半峰宽FWHM，与标准塑料光谱特征值进行对比，比对结果作为触发条件控制机械分选结构，实现不同种塑料的分选操作。本发明解决了废旧家电破碎塑料分选困难、准确率低下的问题，消除了化学法分离家电中废旧塑料所产生的污染与危害，形成一整套完整的废旧破碎塑料的识别、分选方法，实现在工业上的具体应用。
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本发明属于集成电路领域，涉及一种基于谱分析的图同构判断方法；该方法将大规模纯电阻网络图建模为非混合无向简单图，将二维平面图映射成一维分布，根据处理后的一维分布的情况来判定两图是否同构。本发明方法对无向非混合简单图具有判断结果准确、快速的特点，特别是对于大规模无向非混合简单图，所述方法的速度明显快于目前性能较好的Nauty方法，能很好地应用于大规模集成电路中相同子电路的判定、有机化学中同分异构体的判定等领域。
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本发明涉及污水处理技术领域，公开了一种基于大数据分析的市政污水处理装置及工艺，通过排污阀门等设置，既能避免悬浮物进入影响后续净化程序，又能将收集到的漂浮物统一定期排出，完成自清理操作，通过增压泵将液体箱内的絮凝剂输送至内球体内的碳酸钠粉末上，进而发生反应产生二氧化碳气体，从而通过第一连通管将气体排放至气囊内使其发生膨胀，继而将气囊周边的絮凝剂通过排放管稳定向外排出，对污水完成絮凝净化，避免产生的气体溢流，造成絮凝剂挤出不稳定，确保了絮凝剂的絮凝效果，化学反应过程中，产生的另一部分气体能够使得集油网稳定铺展开，扩大与污水液面的接触面积，提高对油污的吸附效率。
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本发明提供一种提高化学实验体验的化学实验装置及方法，属于化学实验技术领域，用于通过实验者拿取的化学品的种类和用量模拟化学实验反应现象，其特征在于，包括：多个智能试剂瓶，具有试剂瓶本体、用于检测实验者拿取的化学品的种类和用量的行为检测传感器组件、与试剂瓶本体电连接的试剂瓶控制模块以及与试剂瓶本体相配套的化学物品运载工具；智能烧杯，用于显示虚拟的化学实验反应现象，具有烧杯本体以及显示设备；以及可视化控制器，与试剂瓶控制模块和显示设备通信连接；其中，试剂瓶控制模块用于将行为检测传感器的检测结果发送给可视化控制器，该可视化控制器基于检测结果生成化学实验反应现象的图像或视频并发送给显示设备进行显示。
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本发明提供一种全自动化学需氧量分析仪，包括冷凝模块、加热模块、样品管模块、直线模组、步进电机，以及外箱体、颜色传感器、光源、自动控制器，其中，冷凝模块包括冷凝管圆盘、冷凝水管路；样品管模块包括样品管转盘，表面设有两圈或多圈样品管插孔，并且每个样品管插孔垂直对应于冷凝管圆盘的插孔；加热模块表面设有两圈或多圈孔状的加热孔，每个加热孔中设有加热块，其中每个加热孔垂直对应于每个样品管插孔，以容纳样品管。由于样品管或样品杯在垂直方向固定不动，使得冷凝模块根据指令对冷凝管进行冷却、加热模块对样品管或样品杯进行冷加热，并通过直线模块实现冷凝管和加热模块分别脱离样品管，从而实现对滴定样品的同时或差异化的高通量处理。
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本发明涉及一种基于可见光驱动Cu2O/PPy复合材料的微囊藻毒素‑LR分子印迹光电化学传感器及其制备与应用。以ITO导电玻璃为基体，通过电化学技术沉积上分子印迹膜，该分子印迹膜由可见光范围吸收的Cu2O半导体作为光电材料与含有微囊藻毒素‑LR空位的聚吡咯复合而成，以可见光作为激发光源，在CHI660e工作站上采用i‑t技术进行微囊藻毒素‑LR浓度的检测。与现有技术相比，本发明的微囊藻毒素‑LR分子印迹光电化学传感器的应用具有如下优点：光电化学响应灵敏，检测范围宽，可在1.0ng·L‑1～10.0ug·L‑1的浓度范围内进行检测，抗干扰能力强；而且本发明的制备方法简单快速、成本低，可适用于水体的快速在线检测。
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本实用新型公开了一种化工分析用取样装置，包括化工原料桶，还包括螺旋上料机和样品放置箱，所述化工原料桶的上方安装有搅拌电机，搅拌电机的输出端通过联轴器连接有转动轴，转动轴的两端分别安装有搅拌棒，所述螺旋上料机位于化工原料桶的一侧，螺旋上料机的内部装有螺旋碎料刀片，所述螺旋上料机的出料口处设置有收集漏斗，收集漏斗的下端安装有取样套管，所述样品放置箱的内部安装有取样试管，收集漏斗通过取样套管与取样试管无缝对接。本实用新型通过对化工原料溶液进行混合搅拌，通过螺旋上料机对固定化工原料进行搅碎，将其与化工溶液融合后输送进收集漏斗中，在利用漏斗将其灌装至取样试管中储存，不需要人工手动接触，避免发生化学污染。
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本实用新型涉及用于气质联用顶空分析的采样装置，包括内置固液吸附颗粒的顶空瓶，与顶空瓶联通，通过净化热空气对顶空瓶进行吹扫的通气导管，放置顶空瓶的密闭容器以及经抽气管道与密闭容器连接的抽气泵。与现有技术相比，本实用新型可预制多个封装好的顶空瓶进行多点多批次采样；快速简便，适用于应急状态下采样等。并可将采集的样品直接通过顶空方式进入气质联用仪或气相色谱仪，不需另行转移，就可进行化学品定性、定量分析。
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本发明涉及一种用于GC‑MS顶空进样定性分析的超微型反应器，包括：GC‑MS用顶空瓶，置于顶空瓶内，盛装试剂的试剂容器，盛装样品的浮筏，设置在试剂容器内，浮筏内置铁芯，位于顶空瓶底部的强力磁铁，固定在试剂容器内的压力指示管。与现有技术相比，本发明可以使微量的样品与水、酸或其它化学试剂在密闭的顶空瓶中发生反应，反应产生的气体可直接导入气相色谱‑质谱联用仪进行分析。
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本实用新型提供了一种轻烃色谱60秒快速分析系统，属于化学分析技术领域，包括QC‑02C，所述QC‑02C包括前面板和后面板，所述前面板上设置空气稳压口、样品气稳压口、组分氢气稳压口和总烃氢气稳压口，前面板下方还设置六通阀，所述六通阀包括氢气输入口、空气输入口、样品气输入口、第一样品气放空口、第二样品气放空口和氢气放空口。通过QC‑02C色谱仪，能在短短的60秒内获得钻井泥浆脱出气中烃的数据，利用单体烃的数据，组合成多个参数、指标，对录井异常井段的含油气可能性、储层的含水性、烃类的次生氧化细菌降解的程度，作快速、初步的评价；为发现水淹层、评价油气性质及时提供有效的信息。
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