一种化学机械抛光方法,包括:将待抛光的晶片放置于化学机械抛光设备中,对晶片进行化学机械抛光,还包括通过清洗溶液对晶片进行清洗,实时测量清洗晶片后形成的处理溶液的开路电位,在处理溶液的开路电位达到开路电位阈值时,停止清洗。相应地,本发明还提供一种用于化学机械抛光的清洗装置,包括清洗单元、取样单元、实时测量单元、阈值测量单元和控制单元。本发明可以有效减少晶片表面的有机残留物。
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