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CVD（G）系列高温真空气氛管式炉专门设计用于高温CVD工艺。如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，优质硅钼棒加热，优质99刚玉管炉膛，气体采用浮子流量计流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，有效的实现温度的控制。设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
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该设备为1200℃开启式真空管式炉，不仅可以抽真空,也可以通气体保护。炉管工件横穿于上下共8组电阻丝的炉膛，温场均匀性好。该设备为特殊设计，炉体上部设计有石英管，样品经过电机驱动，上下移动，方便取放样;设备两端安装有卡箍式不锈钢快接法兰，安装拆卸简便快捷，该设备广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。双温区结构设计可获得较长恒温区间，温场均匀性好。结构简单，操作方便。法兰出气端设计有加热带辅助加热，避免管内水汽冷凝，多余水汽通过法兰直接冷凝后经出水口排出。
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高温高压炉设计为高温高压条件下使用，炉管采用镍基合金钢管，具有较高蠕变强度和抗氧化性。密封圈为金属无氧铜密封圈，可以在高温状态下通入实验气氛参与实验。设备配有背压阀，加热过程中气体膨胀，压力上升，背压阀可将路管内多余气体排出，维持压力稳定。同事设备上装有压力传感器和电磁阀，当压力传感器检测到内部压力大于所设定的压力时通过信号传送至高压电磁阀，电磁阀打开释放出多余压力，可确保安全使用。该设备为单端封口设计，可将线质材料通过双芯刚玉管穿过法兰，并连接到检测设备上，以便检测再高温条件下材料的性能变化。
1200℃开启式真空管式炉可通气氛抽真空，设备采用开启式结构，安装拆卸方便。石英管确保在高真空条件下使用。进气端法兰采用折页式法兰设计，避免取放料时的繁琐操作， 炉管工件横穿与进口电阻丝的炉膛，温场均匀，内外温差可控制在5度左右，气动弹簧支撑结构让操作者可各角度安全开启，该款广泛应用在半导体、纳米材料、碳纤维、石墨烯等新材料、新工艺领域。
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热压方法的最大优点是可以大大降低成形压力和缩短烧结时间，可以制得密度高和晶粒极细的材料，该设备可将压制和烧结两个工序一并完成，可以在较低压力下迅速获得冷压烧结所达不到的密度，从这个意义上说，热压是一种强化烧结。凡是用一般方法能制得的粉末零件，都适于用热压方法制造，尤其适于制造全致密难熔金属及其化合物等材料 。
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1400℃高温管式炉广泛用于:真空或气氛烧结、基片镀膜等要求加热温度较高的实验环境.。该设备技术成熟、质量可靠，温场均匀，结构合理，法兰以卡箍密封，安装拆卸简便快捷，是各大材料实验室必备的理想设备之一。
2024年11月27日 ~ 29日 
2024年11月29日 ~ 12月01日 
2024年12月13日 ~ 15日 
2024年12月20日 ~ 22日 
2025年03月25日 ~ 27日 
