本发明公开了一种沟槽栅MOS器件缺陷验证方法,包含:第一步,对沟槽栅MOS器件样品进行电学测试,扫描栅极对源极的漏电曲线;第二步,根据漏电曲线的特性,初步判定缺陷的大致位置;第三步,采用亮点定位工具,定位失效沟槽在
芯片上的位置;第四步,结合第二步的判定结果,选择对应的研磨或聚焦离子束方法进行制样;采用KOH或NaOH溶液溶解残留的栅极
多晶硅,找到缺陷位置。
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