合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法

653   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:37:11
本发明公开了一种分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法,通过单次浪涌电流实验确定SiC MOSFET体二极管的单次浪涌电流能力,测量SiC MOSFET的静态特性和动态特性,进行重复浪涌电流试验,比较浪涌电流实验后SiC MOSFET的静态特性、动态特性以及提取的参数的退化,分辨器件的退化原因,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含双极退化,比较体二极管特性以或体二极管压降的变化,确定SiC MOSFET的退化原因中是否包含封装退化,是否包含栅氧退化,比较小电流下的转移特性或阈值电压的变化,实现了退化原因的有效解耦,有利于了解器件的失效机理。
声明:
“分辨SiC MOSFET在体二极管重复浪涌电流下退化原因的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

第二届关键基础材料模拟、制备与评价技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记