本申请公开了一种抗PID效应的
太阳能电池片,该抗PID效应的太阳能
电池片包括衬底,所述衬底的表面具有扩散发射结,所述扩散发射结的表面设置有第一金属离子阻挡层,所述第一金属离子阻挡层的表面设置有减反射层,所述减反射层的表面设置有第二金属离子阻挡层。上述抗PID效应的太阳能电池片,由于具有前后两层金属离子阻挡层来抗PID效应,可通过在‑1000V的偏压下进行长达192小时甚至更久的抗PID测试,且无需利用原子层沉积法制备
氧化铝层,因此能够简化制造工序,且减少PID测试的失效风险。
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“抗PID效应的太阳能电池片” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)