本发明适用于
芯片测试技术领域,提供了一种不良芯片筛选方法,所述方法是根据预设的热力学筛选方法对待筛选的芯片进行热力学性能筛选,得到符合热力学要求的芯片,再根据预设的电学筛选方法对所述符合热力学要求的芯片进行电学性能筛选,得到符合电学性能要求的芯片,通过同时对待筛选芯片进行热力学测试和电学参数测试,能够有效保证芯片出厂的合格率;最后获取所述符合电学性能要求的芯片的电学参数测试数据,并基于正态分布原理筛选出电学参数测试数据符合3σ原则的芯片,能够筛选出具有高度一致的电学参数的良品,剔除存在失效风险的良品,从而进一步提高芯片出厂的合格率。
声明:
“不良芯片筛选方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)