本发明提供了一种光刻工艺的对准方法及其适用的光罩。在本发明提供的光刻工艺的对准方法中,通过在晶圆的刻蚀工艺中的当前光罩的切割道版图上形成至少一独立于其已存在的第一对准标记的第二对准标记,然后,光刻机台在对光罩和晶圆进行套刻精度测量时,利用不受辅助图形干扰的第二对准标记为对准标记,从而可以避免现有技术中利用附近形成有辅助图形的第一对准标记作为对准标记,而导致的在晶圆的后续多次刻蚀工艺中,由于晶圆上形成的第一对准标记的图形不清楚,造成的对准量测程序对准失效、对准测量程序人工检测工作量大以及刻蚀工艺的工作效率低的问题。
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