本发明提供的一种光刻方法,包括:提供测试晶圆;使用设计掩模版对所述测试晶圆进行光刻工艺,在测试晶圆表面形成光刻胶图形;检测所述光刻胶图形,查找发生图形坍塌的区域;根据所述光刻胶图形的坍塌区域,制作修正掩模版,所述修正掩模版具有开口,所述开口与所述图形坍塌区域相对应;提供产品晶圆;分别使用所述修正掩模版以及设计掩模版对产品晶圆进行曝光,在产品晶圆表面形成光刻胶图形。本发明通过对已发生图形坍塌的光刻胶区域进行二次曝光,使得该区域光刻胶的图形失效,从而避免了光刻胶缺陷的扩散。
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