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用于半导体晶片的电化学沉积工艺

1031   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:46
一种电镀晶片的方法基于电压变化来检测电镀浴失效。所述方法对电镀具有TSV特征结构的晶片有用。可监测电镀处理器的每个阳极的电压。电压急剧下降表示由诸如SPS的加速剂转换成其副产物MPS所导致的浴失效。通过电流脉冲输送或电流递增输送延迟或避免浴失效。一种改良的电镀浴具有极低酸浓度的阴极电解质。
声明:
“用于半导体晶片的电化学沉积工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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