本发明公开了一种基于非精确定位的透射电镜样品制备方法,属于半导体技术领域。所述方法包括:提供失效分析
芯片,对失效分析芯片中的失效点进行定位并标记得到标记区域;在标记区域的一侧切割第一楔形空洞,并对第一楔形空洞中靠近标记区域的截面进行减薄直至观察到失效点;在观察到失效点的截面上形成保护层;在标记区域的另一侧切割第二楔形空洞,并对第二楔形空洞中靠近标记区域的截面进行减薄直至得到预设厚度的初样;对初样的底部进行U形切断后进行减薄,得到透射电镜样品。本发明中的方法,能够有效的避免失效点的误切,以及已切到失效点的一面在后续工艺中被损伤或者溅脏,从而提高了制样成功率,改善了观察结果。
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