本发明提出一种平面TEM样品的制备方法,包含制备样品,使样品的断面的截面到达目标区域附近,切割样品到露出Poly层,湿法腐蚀,去除Poly,制备第一切割面,切割样品,在衬底内部制备第二切割面,最后完成平面TEM样品。本发明为制备观测多晶Poly下方的栅氧化层缺陷和硅衬底位错的TEM分析提出了一种基于现有技术的新方法,通过腐蚀Poly即可以去除Poly晶格对TEM观测的影响,又可以利用腐蚀剂对衬底的腐蚀准确定位栅氧化层中的缺陷。采用本发明方法能提高该类失效分析的质量和成功率。
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