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金属一氧化铝一硅结构湿度传感器及其制备工艺

844   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:36
本发明是Si—MOS结构Al2O3湿度传感器,属 于指示环境湿度的元器件。它是在低阻Si衬底上通 过Al蒸发和阳极氧化及热处理制备一层稳定的多 孔α—Al2O3,从而使Al2O3湿度传感器改善或克服 了长期漂移问题,并能同时测量绝对湿度和相对湿 度。本发明的湿度传感器测湿范围宽、灵敏度高、重 复性和稳定性好,可广泛用于工业过程控制、环境湿 度检测、各种高纯气体水含量分析、气密封装电子器 件残留水分监测及电子器件的可靠性和失效机理研 究等。
声明:
“金属一氧化铝一硅结构湿度传感器及其制备工艺” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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