本申请实施例提供一种字线电阻测试方法、装置、设备、存储介质及程序产品,该字线电阻测试方法包括:向与待测试字线连接的存储单元中写入第一数据,并在所述待测试字线激活预设时间后,读取所述存储单元中存储的数据,其中,所述预设时间小于所述存储单元对应的标准行地址激活时间;根据所述存储单元中存储的数据,确定所述待测试字线的电阻是否合格。在向存储单元写入数据后,通过较短的行地址激活有效时间进行存储数据的读取,基于所读取的数据与所写入数据是否一致,实现对字线电阻的测试,测试成本低、准确度高,通过字线电阻测试,有效避免了DRAM因字线电阻偏大而导致读写失效。
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