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基于复合介质栅MOSFET的全局曝光光敏探测器

713   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:23
本发明提供一种基于复合介质栅MOSFET的全局曝光光敏探测器,包括由多个探测单元构成的阵列,每个探测单元包括感光晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管,或者每个探测单元包括感光晶体管、电荷转移晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管;其中,感光晶体管用以实现光敏探测器的感光功能,电荷存储晶体管用以实现光生电荷的存储,读取晶体管用以实现信号的读取,电荷转移晶体管用以控制光生电荷的转移。本发明的探测器无需机械快门,可实现全局曝光与快速读取的功能,与现有浮栅CMOS工艺兼容,制造技术成熟,易于实现,由探测单元构成的阵列与周边电路整合性高,可大幅缩小芯片体积,且任何一个像素的失效不会影响整个成像阵列的正常工作。
声明:
“基于复合介质栅MOSFET的全局曝光光敏探测器” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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