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3D NAND存储器位线的电阻测试方法

683   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:20
一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法,包括:提供失效晶圆,所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器,所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞;选取多根位线作为目标位线,将多根目标位线通过金属线路连接;从衬底的背面平坦化所述衬底,直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞;对目标位线所对应的金属插塞进行测试,获得目标位线的电阻值。本发明的测试方法可以减小3D NAND存储器位线电阻的测试难度,并且能保证测试的精度。
声明:
“3D NAND存储器位线的电阻测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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