合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 失效分析技术

> 3D NAND存储器位线的电阻测试方法

3D NAND存储器位线的电阻测试方法

708   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 09:00:20
一种3D NAND存储器位线的电阻测试方法,包括:提供失效晶圆,所述失效晶圆包括衬底和位于衬底正面上的3D NAND存储器,所述3D NAND存储器包括若干位线和与每个位线相应连接的若干金属插塞;选取多根位线作为目标位线,将多根目标位线通过金属线路连接;从衬底的背面平坦化所述衬底,直至暴露所述与目标位线连接的金属插塞;对目标位线所对应的金属插塞进行测试,获得目标位线的电阻值。本发明的测试方法可以减小3D NAND存储器位线电阻的测试难度,并且能保证测试的精度。
声明:
“3D NAND存储器位线的电阻测试方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
失效分析
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记