本发明公开了一种测试对准使用
芯片的制作方法,其特征在于,包括:步骤1、在工艺初期图形定义时,硅片内的所有区域都进行曝光;步骤2、当该硅片因为芯片尺寸过小时,需要进行对准芯片制作时,针对此类硅片,在硅片内部完整shot的位置上,选择一个小的区域M进行二次曝光,使区域M内的全部或部分芯片失效,形成一个失效的芯片阵列,作为测试对准使用;步骤3、根据区域M中的失效芯片周边芯片中是否含有有效芯片,来判定测试结果是否与硅片上实际芯片结果发生左、右、上、下的偏移。本发明的测试对准使用芯片的制作方法,相对于常规使用的不曝光方式制作失效芯片的方法影响面积少,判定准确率高,并且失效芯片数目变化灵活性高等优点。
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