本发明涉及集成电路技术领域,具体涉及一种测量集成电路内部温度的方法,先测出待测电路极限工作温度及ESD接触二极管电压值,得到电压温度变化斜率,随后调节电路的工作温度,记录下失效状态时的电压值,最后算出对应的失效温度,通过采用上述这种测量集成电路内部温度的方法,不用再增加温度测量设备就可以准确得出电路所在的温度,且定位迅速,通过分析测试数据可以直接得出对应的温度,不用每次更换温度进行恒温等待,且通过不同的管脚可以测试出管芯不同位置的温度,从而对大面积的
芯片进行定位时更加快速高效。
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