本实用新型提供一种半导体测试结构,包括:若干个间隔排布的有源区;连接通孔,位于靠近各所述有源区两端的上方,且一端与所述有源区相连接;第一金属层,与所述连接通孔远离所述有源区的一端相连接;金属叠层结构,位于所述第一金属层上方,且与所述第一金属层相隔有间距;所述金属叠层结构包括由下至上依次间隔排布的第二金属层至第N金属层,其中,N≥3;所述第二金属层至所述第N金属层均包括若干个间隔排布的金属块,所述金属块的数量与所述连接通孔的数量相同,且所述金属块与所述连接通孔一一上下对应分布。本实用新型的半导体测试结构可实现热点的精确定位,提高失效分析的成功率,缩短失效分析的时间。
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