本发明公开了一种介质层可靠性测试结构及测试方法,属于半导体技术领域,所述介质层可靠性测试结构包括:衬底,其上设置多个有源区;至少一个待测试介质层,设置在所述有源区上;
多晶硅层,设置在所述待测试介质层上;辅助金属结构,设置在所述多晶硅层上,且所述辅助金属结构将所述多晶硅层区分为多种不规则的区域;以及辅助多晶硅结构,设置在所述衬底上,且环绕所述多晶硅层设置。通过本发明提供的一种介质层可靠性测试结构及测试方法,可提高失效分析的准确率和效率。
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