本发明涉及半导体器件失效分析技术领域,尤其涉及一种元器件饱和电流的量测方法和量测系统,该量测方法包括:提供一探针台,所述探针台包括吸附卡盘、电学监测仪以及多根探针;将一元器件放置于所述吸附卡盘上且与所述电学监测仪电连接;所述探针台利用一第一探针在所述元器件的栅极端施加一固定电压,并利用一第二探针和一第三探针在所述元器件的沟道两端施加可变电流;以及利用所述电学监测仪,对所述沟道两端的可变电流进行监测。
声明:
“元器件饱和电流的量测方法和量测系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)