本发明涉及一种多层铜互连布线结构的检测方法,包括如下步骤:采用开封方法获取多层铜互连布线结构的裸
芯片;清除所述裸芯片表面的残留物;采用反应离子蚀刻法去除所述裸芯片表面的保护膜;采用热熔蜡将去除保护膜后的芯片固定于研磨抛光夹具;根据失效分析的结果,对所述芯片的缺陷区域进行平行抛光剥层操作;利用显微观察监测平行抛光进度直至达到目标层。本发明的多层铜互连布线结构的检测方法,可实现芯片中多层铜互连布线结构的逐层去除,实现密集多层铜互连布线结构中各层次形貌的平面观察,对多层铜互连布线结构芯片的失效机理确认、提高集成电路的使用可靠性有重要的意义。
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