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IGBT模块疲劳分析处理方法及半导体器件处理方法

658   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:58
本申请涉及IGBT模块疲劳分析处理方法,包括步骤:建立IGBT模块的有限元模型;电‑热‑结构耦合计算;绘制应变疲劳曲线;计算IGBT模块的各单元的疲劳损伤值;确定下一次功率循环的有限元模型;建立IGBT模块的状态评估模型。这样,巧妙地设计了IGBT模块的有限元模型并据此进行累积损伤值的计算及分析,从而能够准确地得出IGBT模块疲劳失效机理,解决了传统数值分析方法无法模拟疲劳裂纹扩展期间物理特性的弊端,以及克服试验法花费大、难以深入研究模块全寿命疲劳特性的问题,并且全面考虑IGBT模块疲劳失效的裂纹萌生期和裂纹扩展期,实现了对IGBT模块全寿命疲劳的准确模拟分析。
声明:
“IGBT模块疲劳分析处理方法及半导体器件处理方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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