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IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统

835   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-19 08:59:38
本发明公开了IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统,属于电力电子器件劣化失效与状态评估领域。本发明方法直接从SiC半导体空间电荷定域化行为出发,对正向阻断状态SiC半导体空间电荷行为进行测量,并通过空间电荷测量结果提取SiC半导体微观电荷特性参数,建立劣化模型。通过劣化模型和微观电荷特性参数,实现了对SiC半导体进行劣化状态评估与寿命预测。本发明的这种状态评估方法从SiC半导体微观劣化机理出发,可以更好的反应其劣化失效特征、更加有效的评估其劣化状态与工作寿命。
声明:
“IGBT用SiC半导体微观劣化失效评估方法和系统” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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