本发明公开了一种存储器电路接触孔层次失效点定位方法,是针对无微探针设备的机台,先使用聚焦离子束进行线路修复,将浮空状态的电极短接至附近具有稳定电位的节点,再进行电压衬度分析。本发明所述的方法,使用聚焦离子束将浮空的电极短接至附近稳定电位节点,在电压衬度进行电子束轰击时,浮空电极上积累的电荷能被及时导走,使浮空电极极始终保持稳定的状态,消除其对电压衬度分析时的干扰。
声明:
“存储器电路接触孔层次失效点定位方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)