本发明涉及本发明涉及一种模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法,属于大功率半导体器件失效机理和可靠性研究领域。该建模方法包括压接式IGBT失效短路过程模拟,建立失效短路形成渗透坑的压接式IGBT器件等效模型,通过设置渗透坑内铝元素含量,形成不同失效短路过程的材料属性变化;压接式IGBT器件多物理场建模,建立压接式IGBT器件几何模型,基于不同失效短路过程的材料属性变化,循环仿真模拟在不同失效短路过程中电阻、热阻变化规律。本发明实现了压接式IGBT器件失效短路过程有限元建模分析,通过考虑渗透坑的失效短路等效模型,模拟了压接式IGBT器件在发生失效短路过程中特征参数的变化,可以为压接式IGBT器件失效短路状态监测提供基础。
声明:
“模拟压接式IGBT器件失效短路机理的有限元建模方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)